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[发明专利]用于双脉冲编程的系统和方法-CN202110649106.4在审
发明人： R·库马尔;D·杜塔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器装置，其包括被配置成将第一编程电压施加到选定字线的控制电路，其中禁止用所述第一编程电压来编程对应于数据状态的第一集合的所述选定字线的存储器单元的第一子集，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。所述控制电路被进一步配置成使所述选定字线的第一电压放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集。所述控制电路被进一步配置成执行验证操作以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程。本发明还公开了一种编程非易失性存储器的存储器单元的方法。
用于脉冲编程系统方法

[发明专利]内存电路及内存编程方法-CN202011547642.5在审
发明人：何文乔;柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种内存电路及内存编程方法，适用于编程闪存，包括电荷泵电路，产生泵电压与泵电流；电压调节器，耦接电荷泵电路，并根据泵电压与泵电流产生编程电压与编程电流以编程闪存；电压传感器，耦接电压调节器以监视编程电压的电压值；以及多个开关电路，其中每个开关电路的一端耦接电压传感器，另一端耦接闪存，且所述多个开关电路的导通个数根据所述编程电压的所述电压值决定。
内存电路编程方法

[发明专利]非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备-CN202111675557.1在审
发明人：罗志宏;刘文超;梁毅 -专利权人：上海概伦电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备。其中低成本实现结构包括若干一次性可编程存储器、状态控制器、行地址解码器和列地址解码器。通过本技术方案，能够不依赖传统的FTP单元，由一次性可编程存储器实现有限次编辑(Few Time Programmable，FTP)功能，适用于擦写次数较少的应用场景，可靠性高，兼容普通技术工艺，具有可推广价值。
非易失存储介质低成本实现结构控制方法芯片电子设备

[发明专利]读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元-CN202111401190.4在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元。一种存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。在接收到所述数据位之后，存储器装置根据位的值的组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示所述数据位的值的组合的第一电平。所述阈值电平被划分为多个组，每一组含有所述阈值电平的子集。使用“异或”(或“同或”)来将所述数据位组合到所述多个组当中含有所述第一电平的第一组的组标识的位中。所述存储器装置使用所述组标识从所述第一存储器单元读回所述数据位以精细编程所述存储器单元的所述阈值电压以表示所述数据位。
读取经由交错式两遍数据编程技术粗略存储器单元

[发明专利]减少写入放大的交错式两遍数据编程技术-CN202111403086.9在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及减少写入放大的交错式两遍数据编程技术。在粗略编程中，根据N‑1个可能位的值的组合与阈值电平之间的第一映射，将存储器单元的阈值电压编程到表示N‑1个位值数据的第一电平。组标识表示所述第一电平是所述第一映射中的奇数电平还是偶数电平。对于精细编程，基于所述组标识，读取所述存储器单元以获得所述N‑1个位值；并且接收至少一个额外位以接合所述N‑1个位值以形成至少N个位值。然后，根据所述至少N个可能位的值的组合与阈值电平之间的第二映射，将所述存储器单元的所述阈值电压精细编程到表示所述至少N个位值的第二电平。
减少写入放大交错式两遍数据编程技术

[发明专利]一种输入缓冲电路及存储器-CN202011150361.6有效
发明人：郑钟倍 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种输入缓冲电路及存储器。本申请输入缓冲电路，通过配置输入高电压阈值与输入低电压阈值不同，当输入信号处于输入高电压阈值与输入低电压阈值之间时，逻辑输出信号不进行状态切换，从而消除了噪声对输入信号的干扰。即本申请可以滤除输入信号中的噪声、避免与输入信号对应的逻辑输出信号状态异常，保证器件的正常工作。
一种输入缓冲电路存储器

[发明专利]存储器的编程方法、存储器及存储系统-CN202210187020.9在审
发明人：崔莹;宋雅丽;贾建权;远杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。该方法包括：在对选定存储单元进行编程的第一脉冲阶段，以第一脉冲宽度向选定字线施加第一编程电压；在对选定存储单元进行编程的第二脉冲阶段，以第二脉冲宽度向选定字线施加第二编程电压；其中，第一脉冲宽度大于第二脉冲宽度，且第一编程电压小于第二编程电压。在编程过程中在不同的脉冲阶段采用不同的脉冲带宽，根据脉冲阶段的编程电压采用对应的脉冲带宽进行编程，在编程电压较低时，可以采用较长的脉冲带宽，保证足够的编程时长；而在编程电压较大时，采用较短的脉冲带宽，从而提高补充电势，降低编程电压干扰导致的损失。
存储器编程方法存储系统

[发明专利]以高可靠性每存储器单元存储多个数据位的数据编程技术-CN202111352037.7在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及以高可靠性每存储器单元存储多个数据位的数据编程技术。存储器系统产生数据且在数据群组当中具有一关系以可靠地在存储器单元中的每存储器单元存储预定位数。举例来说，从数据位第一群组产生数据位第二群组。形成具有所述第一群组和所述第二群组的预定数目的数据群组并且在所述数据群组当中具有预定关系(例如，XOR或XNOR)。基于预定映射确定存储器单元群组中的存储器单元的阈值电平，其中确定每一存储器单元的阈值电平以表示来自所述数据群组中的每一个的一个位。在所述预定映射中，由任两个连续阈值电平表示的位值相差一个位。根据所述阈值电平编程所述存储器单元群组中的阈值电压，进而以提高的可靠性存储所述数据群组。
可靠性存储器单元存储数据编程技术

[发明专利]存储器、存储系统以及操作方法-CN202210137528.8在审
发明人：贾信磊;游开开;罗哲;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器、存储系统以及操作方法，属于存储技术领域。在本申请中，第一编程验证方式用于在第一验证子操作时对第一数量个编程态进行验证，第二编程验证方式用于在第二验证子操作时对第二数量个编程态进行验证，且第一数量和第二数量不同，第一验证子操作所需验证的编程态和第二验证子操作所需验证的编程态中存在相同的编程态。如此，在其中一种编程验证方式为逐个对每个编程态进行验证时，另一种编程验证方式中将存在某次验证子操作同时验证多个编程态，该编程验证方式所使用的时间也就相对较短，所以本申请将第一编程验证方式和第二编程验证方式进行结合，能够缩短整体的编程验证时间，从而提高整体编程速度。
存储器存储系统以及操作方法

[发明专利]一种信道的引擎调度方法、系统及相关装置-CN202010745287.6有效
发明人：周永旺 -专利权人：北京浪潮数据技术有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供一种信道的引擎调度方法，包括：获取信道请求；判断所述引擎列表是否为空；若否，从所述引擎列表中为所述信道请求分配对应的编码引擎，并利用描述符记录所述信道请求与编码引擎的对应关系；在所述编码引擎处理所述信道请求包含的编码时，计算所述编码对应的校验码；获取所述描述符、所述校验码和编码引擎状态字，根据所述描述符将所述校验码发送至对应的信道，并在所述编码引擎状态字对应为空闲状态时将所述编码引擎写入所述引擎列表。本申请提高了信道请求的处理效率，同时使得编码引擎的利用率得到提升，降低了硬件设计成本。本申请还提供一种信道的引擎调度系统、计算机可读存储介质和电子设备，具有上述有益效果。
一种信道引擎调度方法系统相关装置

[发明专利]存储器控制器以及包括存储器控制器的存储装置-CN202110935735.3在审
发明人：金基成;金载训;白承杰;李洞圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储器控制器和包括存储器控制器的存储装置。根据实施例，一种存储器控制器包括：存储装置，被配置为存储与不可修复缺陷相对应的第一缺陷信息和与可修复缺陷相对应的第二缺陷信息；输出电路，被配置为检测存储器控制器中的缺陷，并且输出第一缺陷信息或第二缺陷信息作为与检测到的缺陷相对应的缺陷信息，以及逻辑，被配置为当缺陷信息对应于第二缺陷信息时，基于第二缺陷信息来检查检测到的缺陷的类型，并且根据检测到的缺陷的类型来执行恢复操作。
存储器控制器以及包括存储装置

[发明专利]存储装置的编程方法、存储装置及存储系统-CN202180006000.0在审
发明人：姜柯;梅笑冬;郭晓江 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储装置的编程方法、存储装置及存储系统，所述存储装置包括多个平面；所述方法包括：使用以第一步增量增加的编程电压，对所述多个平面中的至少两个平面进行编程；对所述至少两个平面进行验证，确定所述至少两个平面中存在验证异常的平面时，禁用验证异常的平面；在所述至少两个平面中存在平面被禁用时，使用以第二步增量增加的编程电压，对未被禁用的所述平面进行编程；其中，所述第二步增量小于所述第一步增量。
存储装置编程方法存储系统

[发明专利]一种基于纠错码的高速忆阻器编程系统和方法-CN202210183081.8在审
发明人：薛晓勇;姜婧雯;黄晓丽;赵晨阳;方晋北;陈德扬;郭之望 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于纠错码的高速忆阻器编程系统和方法。本发明系统包括：用于对输入数据进行ECC编码的编码电路，用于将片上或者外部数据以及编码电路得到的校验位写入存储器的写电路，用于存储数据信息以及ECC编码得到的校验位信息的忆阻器阵列，用于将忆阻器阵列中数据读出的读电路，用于对读电路读出数据进行ECC译码操作的译码电路；本发明采用纠错码，以较小的写操作时间为基准进行写入操作，允许在写操作时在容错范围内出现少量写失误，随后通过编码电路和译码电路得到校验位，以此检测忆阻器阵列中的存储单元值并进行纠正。本发明能极大提高忆阻器写操作速度，降低能耗，并提高存储数据可靠性。
一种基于纠错码高速忆阻器编程系统方法

[发明专利]一种动态调控的忆阻器编程方法和系统-CN202210183553.X在审
发明人：薛晓勇;姜婧雯;黄晓丽;赵晨阳;方晋北;陈德扬;郭之望 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态调控的忆阻器编程方法和系统；该方法包括：根据不同应用场景，对忆阻器所存储的数据进行分析和分类，根据数据热度将数据分为热数据、温数据、冷数据，对于冷数据，由进行编程操作时限流需要高电流，对于热数据，限流用较低电流值；为提高存储系统可靠度，设置基准时间，对于存放热数据的忆阻器，如果在基准时间内其数据没有被访问，则将进行重新写入操作。本发明能够保证存储系统的可靠度，同时本发明能极大减少热数据比例高的存储任务的功耗，从而实现低功耗忆阻器编程方法，避免写功耗受制于大量冷数据。
一种动态调控忆阻器编程方法系统

[发明专利]与存储单元相关联的执行方法、设备和系统-CN202210122786.9在审
发明人：阿诺德·J·德索萨;希亚姆·索马亚居拉 -专利权人：宁波奥拉半导体股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开使用低功率DC源来操作存储单元。低功率DC源提供的功率小于操作存储单元所需的功率。在一个实施例中，来自低功率源的电荷在第一时间间隔内被存储在电荷存储设备上。在第二时间间隔内，使用电荷存储设备作为第二电源来操作存储单元。第一时间间隔和第二时间间隔之一的一部分不与第一时间间隔和第二时间间隔中的另一个重叠。
存储单元相关执行方法设备系统