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[发明专利]一种银纳米线AgNWs材料的定向方法-CN201410101292.8无效
发明人：李美成;戴菡;丁瑞强;吴帅锦;杨海刚 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种银纳米线AgNWs材料的定向方法。本发明采用普通载波片，利用洗涤剂与超声清洗的方法得到清洁的基片表面。采用液体铺展技术对AgNWs乙醇或异丙醇悬浊液在普通载玻片上实现AgNWs的大范围的定向排列。本发明提出一种全新的AgNWs定向工艺，并且该工艺具有：不依赖设备，操作简单，可重复性好，成本极低，耗时极短等优点，并最终可以在衬底上得到大范围的AgNWs的定向排布。而且该方法无毒无残留，可以广泛应用于半导体、生物、与医学等领域。
一种纳米 agnws 材料定向方法

[发明专利]一种氢氧化镁晶须的制备方法-CN201210423731.8无效
发明人：苏亮 -专利权人：苏亮
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢氧化镁晶须的制备方法。所述氢氧化镁的制备步骤如下：先将七水硫酸镁粉末与乙醇在恒温水浴锅中边搅拌边混合，待温度恒温在40-60℃后，加入乙二醇，制得硫酸镁溶液，所述七水硫酸镁粉末、乙醇及乙二醇的摩尔浓度比为14-35∶10-50∶5-15；将所述硫酸镁溶液与氢氧化钾乙醇溶液混合，所述混合过程是将氢氧化钾溶液按照30-50次/h的速度滴加到硫酸镁溶液中，所述硫酸镁溶液与氢氧化钾乙醇溶液摩尔浓度比为50-70∶3-10；将上述滴定后的混合物放入水热反应釜中，水热温度220-240℃、水热反应36-48h；反应结束后真空抽滤、室温干燥，得到产物。本发明的有益效果是：经过前驱物法由硫酸镁制得碱式硫酸镁再转化为氢氧化镁，在此过程中晶须形貌保持，方法简单、易于操作。
一种氢氧化镁制备方法

[发明专利]一种高韧性耐蚀镁合金防辐射纳米晶丝-CN201410020094.9无效
发明人：彭秋明;付辉;李慧 -专利权人：燕山大学
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：一种高韧性耐蚀镁合金防辐射纳米晶丝，它的化学组成表达式为：Mg-aX-bZ，其中X代表的元素中子数和质子数相等且X的原子序数不大于20，Z代表的元素是最外层电子轨道为全充满或半充满的过渡金属和稀土元素，a，b为质量分数（wt.%），7≤a≤20，1≤b≤12。本发明在生产过程中不会发生氧化现象，容易成丝，具有较强的防辐射功能，在30-1500MHz之间，镁合金微米晶丝的电磁屏蔽效能为61-71dB，外观及触摸质感极佳，使产品更具豪华感，而且在空气中不容易腐蚀。
一种韧性镁合金防辐射纳米

[发明专利]一种隐钾锰型K_2-xCo_yNi_zMn_8-y-zO₁₆纳米线及其制备方法-CN201310751726.4有效
发明人：闫东伟;武英;况春江;周少雄 -专利权人：安泰科技股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种隐钾锰型K_2-xCo_yNi_zMn_8-y-zO₁₆纳米线，其通过将高锰酸钾、可溶性二价钴盐和/或可溶性二价镍盐按适合摩尔比混合并溶于水制得混合溶液，之后在密闭容器内、150-220℃、2-3Mpa的条件下进行加热反应10-24小时，即得所述隐钾锰型K_2-xCo_yNi_zMn_8-y-zO₁₆纳米线，数据显示，所述隐钾锰型K_2-xCo_yNi_zMn_8-y-zO₁₆纳米线为单一化合物，属四方晶系。本发明所述的隐钾锰型K_2-xCo_yNi_zMn_8-y-zO₁₆纳米线中,部分锰离子的晶格位置被钴离子和/或镍离子取代后，稳定了其结构；同时，钴镍锰几种元素的协同作用，使其催化活性、气体吸附等物化性能得到了提高，从而拓展了其在催化、传感、锂离子电池、固体燃料电池等领域的应用前景。
一种隐钾锰型 sub co ni mn 16 纳米及其制备方法

[发明专利]一种液相制备ZnO纳米晶须的方法-CN201310562158.3有效
发明人：李平;魏雨;黄欣 -专利权人：河北师范大学
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相制备ZnO纳米晶须的方法。以锌盐溶液为原料，在低温2～8℃条件下加入氢氧化钠溶液，控制混合溶液锌碱摩尔比在（1:6）～（1:7）范围内，得到含Zn(OH)42-离子前驱体的溶液，再加入微量表面活性剂十二烷基苯磺酸钠，得到的混合溶液先在室温条件下温和搅拌1～2h，然后在75～90℃的水浴中恒温陈化5～6h，所得产物经过滤、水洗，再经稀氨水洗涤、烘干，得到尺寸均匀、具有良好结晶度、直径80～100nm，长度4～5µm，长径比约为50的ZnO纳米晶须。本发明为纯液相制备，具有原料易得、工艺简单、反应时间短、反应条件温和、绿色无污染等优点。
一种制备 zno 纳米方法

[发明专利]一种非水解溶胶-凝胶工艺制备硅酸锆晶须的方法-CN201310353809.8有效
发明人：江伟辉;王三海;冯果;刘健敏;陈婷;张权;吴倩;苗立锋;包镇红;虞澎澎 -专利权人：景德镇陶瓷学院
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开一种非水解溶胶-凝胶工艺制备硅酸锆晶须的方法，该方法是先将无水硅源与矿化剂混合，引入无水锆源并加热搅拌均匀，再加入溶剂，经油浴回流进行非水解缩聚反应，得到硅酸锆溶胶。将溶胶干燥、预烧后得到硅酸锆干凝胶粉，把干凝胶粉压制成片，通过内置或外置方式引入气相催化剂，在保护气氛下密闭热处理，最终制得直径为0.2～1μm，长径比达15～30的硅酸锆晶须。本发明在国内外首次制备出硅酸锆晶须，并且具有制备温度低、工艺简单，原料廉价易得等突出优点。
一种水解溶胶凝胶工艺制备硅酸锆晶须方法

[发明专利]Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法-CN201310251573.7有效
发明人：陈平平;卢振宇;陆卫;石遂兴;周孝好 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
bi 元素调控 gaas 纳米晶体结构分子外延生长方法

[发明专利]一种Ti₃Al_1-xSi_xC₂／TiO₂纳米线或晶须一体化材料及其制备方法-CN201310227619.1有效
发明人：陈继新;盖建丽;李家麟;苗磊;王晓辉;周延春 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料领域，具体为一种Ti3Al1-xSixC2基体表面生长TiO2纳米线或TiO2晶须一体化材料及其制备方法。以Ti3Al1-xSixC2块体材料作为基体，TiO2纳米线或TiO2晶须生长于基体表面；其中，0≤x≤1。将Ti3Al1-xSixC2块体材料打磨、抛光、清洗、干燥；在温度800℃-1300℃，真空度10Pa-65kPa，保温时间10min-60h条件下处理，即可在Ti3Al1-xSixC2块体材料表面生长出金红石型TiO2纳米线或晶须，从而得到Ti3Al1-xSixC2/TiO2纳米线、晶须一体化材料。该方法制备的TiO2纳米线、晶须尺寸可控制在直径20nm-2μm，长度可达几百微米，并且表面光滑。Ti3SixAl1-xC2基体材料具有较高的强度、模量、抗热震性以及导电性，而TiO2纳米线、晶须具有较大的比表面积，因此Ti3Al1-xSixC2/TiO2一体化材料将在电加热的高温催化剂载体、光催化等领域具有潜在应用前景。
一种 ti sub al si tio 纳米一体化材料及其制备方法

[发明专利]Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用-CN201310199689.0有效
发明人：吴浩迪;潘革波;肖燕 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单，易于操作，无需特殊的反应设备，反应条件温和，在常温下即可进行，适于工业化生产，并且最终产物纯度高，不含杂质，表面光滑，尺寸分布均一，具有很好的电学存储性能。
ag tcnq 纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种超细单晶Si纳米线及其制备方法-CN201310223540.1有效
发明人：张析;李瑞;向钢 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种超细单晶Si纳米线及其制备方法。所述超细单晶Si纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）超细单晶Si纳米线的生长：①将SiO粉末平铺在第一载物盘上并放入双温区管式炉的高温区中心部位，将所述长基底放在第二载物盘上并放入所述双温区管式炉的低温区中心部位；②在通载流气体条件下将双温区管式炉的低温区升温至950~960℃，高温区升温至1300~1350℃，并使炉内压强保持在0.02~0.04MPa，然后在上述温度和压强保温4~6h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出超细单晶Si纳米线。
一种超细单晶 si 纳米及其制备方法

[发明专利]一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法-CN201310130752.5无效
发明人：徐玮;陈平;程晓丹;李光朔;陈明富 -专利权人：苏州汉能环保材料科技有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法，该复合纳米线，为单晶的正交氧化硅晶相和单晶的正交氧化锗晶相复合生长而成，且为氧化硅氧化锗的孪晶，其长度10-40μm，宽度20-40nm，氧化硅和氧化锗质量比为0.1～5：1；本发明以无定型氧化硅作为硅源，通过浸渍、焙烧植入氧化铁纳米粒子，再和α氧化锗混合研磨，通过有机胺的气-固相水热反应，最终获得硅锗氧化物复合纳米线。该方法制备的硅锗氧化物复合纳米线具有很好的荧光活性、大的比表面积以及粗细、长短可调控的性质，产率＞95%，产品质量高，有望在诸如先进催化剂的设计、生物荧光标记、纳米器件组装、微观传导以及先进光学、电学和磁学材料的合成领域中有潜在的应用价值。
一种氧化物复合纳米及其制备方法

[发明专利]一种毛刷状结构钛酸铅/氧化锌复合纳米纤维的制备方法-CN201310070564.8有效
发明人：韩高荣;姜姗;任召辉;徐刚;肖珍;刘振亚;翁文剑;杜丕一;沈鸽;赵高凌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种毛刷状结构钛酸铅/氧化锌复合纳米纤维的制备方法，该方法采用的是湿化学反应法。以乙二醇甲醚作为溶解钛离子的溶剂，利用氨水作为沉淀剂沉淀钛离子；利用表面修饰剂聚乙烯醇实现生长方向的调控；利用矿化剂氢氧化钾来促进晶化，经一定条件水热反应后，将所得产物进行退火处理产生相变，实现四方相钛酸铅单晶纳米纤维的合成。然后用醋酸锌作为次级氧化锌种子溶液，硝酸锌与六次甲基四胺等摩尔浓度混合溶液作次级氧化锌生长液，合成一种毛刷状结构钛酸铅/氧化锌复合纳米纤维。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低；制得的毛刷状结构钛酸铅/氧化锌复合纳米纤维，纯度高，分散性好。
一种毛刷结构钛酸铅氧化锌复合纳米纤维制备方法

[发明专利]利用糖厂垢制备硫酸钙晶须的方法-CN201310042230.X有效
发明人：盛仲翰;王双田;曹季明;单素灵;申林涛;文措杰;李海 -专利权人：北京蓝星科技有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用糖厂垢制备硫酸钙晶须的方法，采用稀盐酸加热酸化的方法溶解积垢，趁热过滤并冷却结晶。本发明的方法通过处理糖厂垢，可以将糖厂垢转化为优质的硫酸钙晶须，从而减少污染，节约生产成本。工艺中待晶须生长完全过滤洗涤，干燥后即可得到优质的硫酸钙晶须。本方法制备的产品纯度高，颜色白，不易团聚，同时可以解决糖厂积垢处理问题，制备简单，容易推广。
利用糖厂制备硫酸钙方法

[发明专利]一种利用半干法脱硫灰和废酸制备石膏晶须的工艺及装置-CN201210405335.2无效
发明人：莫建松;盛海强;杨有余;程常杰 -专利权人：浙江天蓝环保技术股份有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用半干法脱硫灰和废酸制备石膏晶须的工艺及装置，工艺包括：(1)将半干法脱硫灰与水混合得到脱硫灰浆液，所述脱硫灰浆液用盐酸废酸调节pH值至5～6后氧化，得到含硫酸钙和氯化钙的浆液；(2)将所述含硫酸钙和氯化钙的浆液旋流分离，旋流分离后的底流浆液经调浆后得到反应浆液，所述反应浆液与硫酸废酸反应，得到的产物经过滤脱水后即得α-半水石膏晶须。本发明有机利用脱硫灰、盐酸废酸和硫酸废酸三种工业废弃物制备α-半水石膏晶须同时收集HCl气体，制备得到的石膏晶须纯度高、含水率低。
一种利用半干法脱硫制备石膏工艺装置

[发明专利]一种硫酸钙晶须的合成方法-CN201110170287.9有效
发明人：王少军;杨卫亚;沈智奇;凌凤香;王丽华;季洪海;郭长友;孙万付 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫酸钙晶须的合成方法。该方法是将氧化钙乳液与油相混合，并加入适量硫化物和表面活性剂，然后通入高压氢气，经反应后得到硫酸钙晶须，其直径为40~100nm，长径比5~20。该方法是通过油相体系下的高温高压反应，克服了水热法不能得到小直径硫酸钙晶须的不足之处，制备了直径小于100nm的硫酸钙晶须，有利于提高硫酸钙晶须的强度、后续产品的性能的延伸以及扩大产品应用范围。
一种硫酸钙合成方法