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[发明专利]蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法-CN200610086467.8有效
发明人：朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
蚀刻制造互连薄膜晶体管方法

[发明专利]蚀刻组合物-CN200610084694.7无效
发明人：李骐范;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al－Nd/Mo双层膜或Mo/Al－Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。
蚀刻组合

[发明专利]一种退镀液-CN200510034819.0无效
发明人：陈其亮 -专利权人：佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种退镀液，其包括硫酸和氧化剂，所述氧化剂包含双氧水、高锰酸钾、重铬酸钾和三氧化铬中的至少一种。其还可包括可以脱除铜层和镍而对塑胶表面无腐蚀的防染盐间硝基苯黄酸钠，还可包括用来加快铜层脱除的促进剂硫酸铜，本发明退镀液，由于用其他氧化剂代替了现有技术退镀液中的硝酸，在退镀时能有效降低对塑胶材料本身产生腐蚀的不良影响，另外，不会因为硝酸的存在而产生大量NO₂黄烟，可减少环境污染，减少对人体的危害，有利于保护操作人员的身体健康，也可避免对厂房及设备的腐蚀。
一种退镀液

[发明专利]钛、铝金属层叠膜蚀刻液组合物-CN200610009536.5有效
发明人：清水寿和 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物，其可以将在玻璃等绝缘膜基板、硅基板和化合物半导体基板上通过溅射法所形成的含有由钛或以钛为主成分的合金所构成的层和由铝或以铝为主成分的合金所构成的层的金属层叠膜一起进行蚀刻，且不对底层的基板等造成损伤，并将锥角控制在30～90度。其中，氟化物(除氢氟酸之外)的浓度为0.01～5质量％，特定的氧化剂的浓度为0.1～50质量％。
金属层叠蚀刻组合

[发明专利]多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法-CN200510011351.3无效
发明人：车晓玲;刘峰奇;黄秀颀;雷文;刘俊岐;路秀真 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。
多孔磷化阻挡以及腐蚀使用方法

[发明专利]对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液-CN200410101890.1无效
发明人：黄应龙;杨富华;王良臣;姜磊;白云霞;王莉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。
砷化铝砷化镓砷化镓高选择化学腐蚀

[发明专利]蚀刻剂和蚀刻方法-CN200480014911.4无效
发明人：齐藤范之;吉田卓司;井上和式;石川诚;上原口好夫 -专利权人：先进显示股份有限公司;三菱化学株式会社
申请日： 2004-11-09 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：仅通过一次蚀刻操作，同时蚀刻构成多层膜的两层而形成精度令人满意的微细配线形状，同时防止上方层形成悬伸物；所述多层膜包括由铝合金制成的第一层和形成在该第一层上的由钼－铌合金制成的第二层。对于包括形成在基板上的铝合金层和形成在所述铝合金层上的铌含量为2重量％～19重量％的钼－铌合金层的多层膜，用于蚀刻该多层膜的蚀刻剂包含磷酸、硝酸和有机酸的酸混合物的水溶液；以及使用该蚀刻剂实施所述蚀刻方法。优选所述蚀刻剂的磷酸浓度N_p为50重量％～75重量％，硝酸浓度N_n为2重量％～15重量％，由N_p+(98/63)N_n定义的酸成分的浓度为55重量％～85重量％。
蚀刻方法

[发明专利]用于去除一个构件上的涂层的方法-CN200480011891.5有效
发明人：厄萨斯·克鲁格;丹尼尔·科尔特维利西;拉尔夫·赖歇;简·斯坦巴克;加布里埃尔·温克勒 -专利权人：西门子公司
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：工作中承受应力的构件常常通过酸处理被重新利用。所述构件在酸中停留的时间迄今为止按标准确定，这使得个别的应力承受情况不能得到充分考虑。按照本发明的用于去除一个构件上的涂层的方法为此建议，至少反复将一个测量电压施加在所述构件上，由此形成一个流动的测量电流(I)，该电流随时间的变化曲线(I(t))描述所述去除涂层过程的状况，并被用于判断何时终止或中断所述酸处理。
用于去除一个构件涂层方法

[发明专利]一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液-CN200410084265.0有效
发明人：张擎雪;荣毅;仓凌盛;刘须电;王明琪 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性氮氧化硅(SiON)湿法刻蚀液，属于集成电路生产制造领域，所述刻蚀液组成为：0.40－1.00vol％的氢氟酸，55.00－65.00vol％的双氧水，34.00－45.60vol％的去离子水，并且所述氢氟酸浓度为49％，双氧水浓度为31％。本发明的氮氧化硅选择性刻蚀液，对SiON的刻蚀速率高，大于150/min；选择性好，SiON与SiO₂的选择比大于10∶1，SiON与Si₃N₄的选择比大于35∶1，SiON/POLY－Si的选择比大于30∶1。该刻蚀液对氧化硅，氮化硅及多晶硅均具有良好的刻蚀选择性，可广泛应用于集成电路制造工艺。
一种选择性氧化湿法刻蚀

[发明专利]用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法-CN200510117515.0有效
发明人：朴弘植;姜成昊;赵弘济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
用于导电材料蚀刻薄膜晶体管阵列面板制造方法

[发明专利]蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法-CN200510088504.4有效
发明人：金有京;洪昌基;崔相俊;韩政男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。
蚀刻溶液利用包括过程形成半导体器件方法

[发明专利]用于去除氧化物膜的刻蚀液及其制备方法，以及制造半导体器件的方法-CN200510072659.9无效
发明人：文彰爕;高炯浩;沈雨宽;洪昌基;崔相俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R₁－OSO₃^－HA⁺、R₁－CO₂^－HA⁺、R₁－PO₄^2－(HA⁺)₂、(R₁)₂－PO₄^－HA⁺以及R₁－SO₃^－HA⁺表示，其中R₁是C₄至C₂₂的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。
用于去除氧化物刻蚀及其制备方法以及制造半导体器件

[发明专利]金属膜的蚀刻液组合物-CN200410098310.8无效
发明人：藤川和宏;田湖次广 -专利权人：关东化学株式会社;三洋电机株式会社;新泻三洋电子株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可以对金属膜以很好的控制性进行蚀刻，形成作为目标的锥形形状，且表面平滑，同时没有蚀刻溶液渗入痕的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有烷基硫酸酯或者全氟链烯基苯基醚磺酸以及它们的盐之中的1种、2种或以上的表面活性剂。
金属膜蚀刻组合

[发明专利]钨金属去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法-CN200410097834.5无效
发明人：清水寿和;渡边香;青木秀充 -专利权人：关东化学株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于去除在半导体基板上成膜或者附着的不需要的钨金属的稳定的酸性去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法。本发明所述的去除液含有原高碘酸以及水。
金属去除以及使用方法

[发明专利]蚀刻液、其补给液、使用其的蚀刻方法和布线基板的制法-CN200410090721.2有效
发明人：栗山雅代;大串亮;秋山大作;漆畑薰 -专利权人：美格株式会社
申请日： 2004-11-08 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了蚀刻液和使用该蚀刻液的蚀刻方法，该蚀刻液是含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。另一种蚀刻方法是，在将金属表面与由至少含有如下A～C的水溶液组成的第一液体(A.盐酸，B.选自具有氨基、亚氨基、羧基、羰基和羟基中的至少一种基团的碳原子数在7以下的含硫化合物，噻唑和噻唑系化合物中的至少一种，C.表面活性剂)接触后，再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液为第二液体的蚀刻液接触。由此使得能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯中的至少一种金属迅速地蚀刻掉，并且降低铜的过度溶解。
蚀刻补给使用方法布线制法