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[发明专利]高性能树脂-乙炔基苯胺封端的聚碳硅氮烷-CN201410011167.8有效
发明人：宋宁;倪礼忠;汪晨晨 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能树脂—乙炔基苯胺封端的聚碳硅氮烷的制备方法。本次发明所制得的乙炔基苯胺封端的聚碳硅氮烷的结构式如式Ⅰ所示，其中，苯二胺的结构为对位、间位和邻位；乙炔基苯胺的结构为对位、间位和邻位；R1、R2分别为甲基、苯基。本次发明的乙炔基苯胺封端的聚碳硅氮烷为粘稠深黄色液体。分子结构末端含有乙炔基，端炔基活性高，所以在一定的温度下可交联固化，得到严实致密、耐热性优异的固化物。主链结构中含有大量苯环，能阻止小分子的逸出，且与碳碳叁键共轭，继而提高树脂的耐热性。该树脂粘度大，分子量大，极易溶于各种溶剂，可用于制备耐高温涂层、高性能复合材料树脂基体、耐高温聚合物及制备含Si3N4、SiC的陶瓷化前驱体，是一种高性能树脂。
性能树脂乙炔苯胺聚碳硅氮烷

[发明专利]共聚聚硅氮烷、其制造方法以及包含其的组合物以及使用了其的二氧化硅质膜的形成方法-CN201580020707.1有效
发明人：山川纯;藤原嵩士;神田崇;青木宏幸 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种共聚聚硅氮烷，其至少具有由通式(I)：‑Si(R1)(R2)‑NR3‑表示的重复单元、以及由通式(II)：‑Si(R1)(R2)‑NH‑表示的重复单元(式中，R1、R2各自独立地表示氢原子、烃基、含烃基的甲硅烷基、含烃基的氨基、或者烃氧基，R3表示烷基、烯基、烷氧基、环烷基、芳基、或者烷基甲硅烷基)，NR3/SiH1，2比(SiH1，2表示SiH1与SiH2的合计量)为0.005～0.3。关于该共聚聚硅氮烷，可通过使得Si(R1)(R2)X2(式中，X表示卤素原子)与伯胺类化合物：R3NH2进行反应，然后与氨进行反应从而制造；可利用在低温的焙烧工序从而形成具有耐受电压特性和对溶剂的耐受性的二氧化硅质膜。
聚聚硅氮烷制造方法以及包含组合使用二氧化硅质膜形成

[发明专利]一种分子结构中SiH₂和SiH₁比例可控的全氢聚硅氮烷和由其制备的疏水透明高硬度涂层及其合成方法-CN201410315655.8有效
发明人：张宗波;徐彩虹;罗永明 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明提供了分子结构中SiH₂和SiH₁比例可控的全氢聚硅氮烷的合成方法。由该方法制备的全氢聚硅氮烷，SiH₁与SiH₂的比例可在4‑40范围内调节。在此基础上，本发明提供了采用SiH₂和SiH₁比例可控的全氢聚硅氮烷来制备疏水透明高硬度涂层的方法。由该方法制备的涂层，其硬度在8H以上，水接触角在90°以上，可见光透过率90％以上。
一种分子结构 sih sub 比例可控全氢聚硅氮烷制备疏水透明硬度涂层及其合成

[发明专利]一种含铝的聚硼硅氮烷陶瓷先驱体的制备方法-CN201610115186.4在审
发明人：杜亮;马小民;冯春祥;田秀梅;李军平 -专利权人：江苏赛菲新材料有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种含铝的聚硼硅氮烷陶瓷先驱体的制备方法，其具体步骤如下：主要是通过氮氢键的断裂后再与有机金属铝试剂反应生成铝氮键，将铝元素引入硅硼氮碳。将聚硼硅氮烷加入二甲苯中，使其充分溶解，然后加入有机金属铝试剂，并搅拌使其混合均匀然后加热至120℃反应1‑2h，然后继续加热至沸腾进行回流反应3‑4h，待反应完成后，蒸馏出二甲苯，冷却降至室温。本发明原料来源可靠，反应过程简单，可以实现各元素的原子级均匀分布。而铝元素的引入可以增强陶瓷的耐高温性能，同时也可以提高其在有氧条件下的抗氧化性能。
一种聚硼硅氮烷陶瓷先驱制备方法

[发明专利]一种陶瓷前驱体聚硼硅氮烷PBSZ树脂的制备方法-CN201610157562.6有效
发明人：滕雅娣;黄鑫龙;盛永刚 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种陶瓷前驱体聚硼硅氮烷PBSZ树脂的制备方法，涉及一种树脂的制备方法，PBSZ树脂的制备方法，首先进行甲基乙烯基二氯硅烷的硼氢化反应，使用硼氢化钠和三氟化硼乙醚溶液制备乙硼烷，经氮气负载导入硼氢化反应器中与甲基乙烯基二氯硅烷发生反应；接着进行氨解反应，使用系统脱敏法防止对水和空气敏感的已硼氢化的甲基乙烯基二氯硅烷的水解以保证反应的顺利进行，达到提高低聚物产品的质量和收率的目的，使用重复氨解反应法令氨解反应进行得更完全彻底，达到低聚物分子量均匀的目的；热聚合反应中，使用催化热聚合法使低聚物分子间连接成为高聚物，达到获得高分子量PBSZ树脂（20万）的目的。
一种陶瓷前驱体聚硼硅氮烷 pbsz 树脂制备方法

[发明专利]用于发光二极管的封装材料-CN201480040899.8在审
发明人： R·格罗腾穆勒;R·卡伦纳楠丹;F·基塔;H·伦兹;D·瓦格纳 -专利权人： AZ电子材料卢森堡有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及特定有机聚硅氮烷作为用于发光二极管(LED)的封装材料的用途。该有机聚硅氮烷聚合物充当绝缘填充材料，并在温度和暴露于环境UV辐射时是稳定的。该封装材料甚至在高温下也具有针对老化造成的黄色变色的良好热稳定性，这是LED封装剂的长寿命和LED性能的关键因素。
用于发光二极管封装材料

[发明专利]用于制备热塑性陶瓷前驱体聚合物的方法-CN201380044796.4在审
发明人： F·里希特;M·可瑞切尔;D·德克尔;G·莫兹;T·斯切莫尔兹 -专利权人：科莱恩金融(BVI)有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：用于制备高分子量、固态、可熔融、热塑性、陶瓷前驱体聚合物的方法，所述方法通过液态低分子量聚硅氮烷在溶剂中在催化剂存在下反应并且一旦达到期望的聚合度时采用终止试剂停止反应。所获得的聚硅氮烷能够采用常规工业方法加工，所述常规工业方法例如挤压、注塑、熔体纺丝、压延、薄膜吹制和空心体吹制、旋转铸塑、流化床涂覆、火焰喷涂和传递模塑(RTM或DP-RTM)。
用于制备塑性陶瓷前驱聚合物方法

[发明专利]一种陶瓷基复合材料（CMC）的聚硅氮烷PSZ-50制备方法-CN201510234958.1有效
发明人：滕雅娣;郑冬松;黄鑫龙;盛永刚 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种用于制备陶瓷基复合材料（CMC）的聚硅氮烷PSZ-50制备方法，涉及一种高分子量聚硅氮烷PSZ-50的制备方法，该方法使用系统脱敏法防止对水和空气敏感的原料甲基氢二氯硅烷和甲基乙烯基二氯硅烷的水解以保证反应的顺利进行，达到提高低聚物产品的质量和收率的目的，使用重复氨解法令氨解反应进行得更完全彻底，达到低聚物分子量均匀的目的，使用活化热聚合法使低聚物分子间联接成为高分子聚物，达到获得高分子量PSZ-50（40万）前驱体，使原料反应得更加充分，同时增加了产品的收率。
一种陶瓷复合材料 cmc 聚硅氮烷 psz 50 制备方法

[发明专利]一种用于制备SiCN非氧化陶瓷纤维的聚硅氮烷制备方法-CN201510174025.8有效
发明人：滕雅娣;黄鑫龙;盛永刚;袁伟 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种用于制备SiCN非氧化陶瓷纤维的聚硅氮烷制备方法，涉及一种高分子量聚硅氮烷的制备方法，该方法采取对反应体系通入氮气进行保护的措施；对第一步反应产物进行重复氨解反应，确保第一步反应充分以提高反应收率；再在第一步产物的基础之上进行活化热聚合使分子间发生连接，来获取高分子量聚硅氮烷。使用系统脱敏法防止对水和空气敏感的原料甲基氢二氯硅烷和甲基乙烯基二氯硅烷的水解以保证反应的顺利进行，达到提高低聚物产品的质量和收率的目的，使用重复反应法令氨解反应进行得更完全彻底，达到低聚物分子量均匀的目的，使用活化热聚合法使低聚物分子间交联成为高聚物，达到获得高分子量 PSZ（20万）的目的。
一种用于制备 sicn 氧化陶瓷纤维聚硅氮烷方法

[发明专利]聚硅氮烷和三甲硅烷基胺的联合制备方法-CN201380042453.4无效
发明人： C-F.霍佩;C.戈茨;H.劳勒德;G.尤伊伦布鲁克 -专利权人：赢创工业集团股份有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明提供在液相中制备三甲硅烷基胺和聚硅氮烷的方法，其中首先相对于同样存在于惰性溶剂中的单氯硅烷以化学计量不足量计量加入溶解在惰性溶剂中的氨。该反应在反应器中进行，其中根据下列方程式形成三甲硅烷基胺：4NH3+3 H3SiCl→3NH4Cl + (SiH3)3N并形成聚硅氮烷。随后将该反应器减压并以气体形式从产物混合物中分离出TSA。所得TSA通过过滤和蒸馏提纯并以高或极高纯度获得。随后向反应器中进一步计量加入溶解在惰性溶剂中的氨，由此与之前引入的氨量一起，使用相对于之前存在的MCS的量化学计量过量的氨。随后排出过量的氨，引入惰性气体并使该反应器的底部产物混合物通过过滤单元，由此分离出固体氯化铵并获得聚硅氮烷和溶剂的液体混合物。
聚硅氮烷硅烷联合制备方法

[发明专利]一种用于制备陶瓷涂层的聚硅氮烷制备方法-CN201410114150.5在审
发明人：滕雅娣;盛永刚;孙晓龙;黄鑫龙 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种用于制备陶瓷涂层的聚硅氮烷制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法，该方法使用系统脱敏法防止对水和空气敏感的原料甲基氢二氯硅烷的水解以保证反应的顺利进行，达到提高低聚物产品的质量和收率的目的，使用重复反应法令氨解反应进行得更完全彻底，达到低聚物分子量均匀的目的，使用热交联法使低聚物分子间交联成为高聚物，达到获得高分子量聚甲基氢硅氮烷（20万）的目的。本发明所采取的技术方案，使得产品的分子量由低聚物的2000-4000增长到200000，呈现白色固体形态，能溶解于常用有机溶剂，适于制备涂料。
一种用于制备陶瓷涂层聚硅氮烷方法

[发明专利]制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法-CN201310718120.0无效
发明人：裴镇希;李汉松;郭泽秀;金古恩;金补宣;金相均;罗隆熙;朴银秀;徐珍雨;宋炫知;林相学;任浣熙;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。
制备间隙填充方法使用制造半导体电容器

[发明专利]一种碳氮化硅陶瓷用聚碳硅氮烷前驱体及其制备方法-CN201410101238.3无效
发明人：苏冬;王思惠;闫啸 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳氮化硅陶瓷用聚碳硅氮烷前驱体及其制备方法；前驱体结构为以[–Si(R2)–NH–R1–NH–]_n为主链，其中R1为有机碳链，R2是硅原子上键连的侧基；R1为有机碳链，结构是直链烃基-(CH₂)_n-，n大于等于2，或是苯基-(C₆H₄)-；R2为氢、或为烃基。以二元胺为氮源，与氯硅烷进行缩合反应，所有操作和过程在无水无氧、通惰性保护气条件下进行；将氯硅烷溶于溶剂得到均匀溶液，再将二元胺和傅酸剂溶于溶剂得到均匀溶液，然后在搅拌条件下将氯硅烷溶液和二混合反应，反应后经过滤除去盐酸盐副产物，再经蒸馏除去溶剂，最终获得聚碳硅氮烷。该方法简单、易控，调控反应可获得多种聚碳硅氮烷。获得的碳氮化硅陶瓷在高温隔热、热防护、能源和环境等领域应用潜力。
一种氮化陶瓷用聚碳硅氮烷前驱及其制备方法

[发明专利]无机聚硅氮烷、含有它的二氧化硅膜形成用涂布液以及二氧化硅膜的形成方法-CN201280020940.6无效
发明人：森田博;小林纯;横田洋大;降幡泰久 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明提供一种在水蒸汽等氧化剂中的烧成工序中的收缩小、并且不易发生二氧化硅膜的龟裂以及与半导体基板的剥离的无机聚硅氮烷以及含有无机聚硅氮烷的二氧化硅膜形成用涂布液。本发明提供一种无机聚硅氮烷，其中，在1H-NMR光谱中，将4.75ppm以上且低于5.4ppm的范围的峰面积设定为A，将4.5ppm以上且低于4.75ppm的范围的峰面积设定为B，将4.2ppm以上且低于4.5ppm的范围的峰面积设定为C时，A/（B+C）的值为0.9～1.5，（A+B）/C的值为4.2～50，而且，根据聚苯乙烯换算值得到的质均分子量为2000～20000；本发明还提供含有该无机聚硅氮烷的二氧化硅膜形成用涂布液。
无机聚硅氮烷含有二氧化硅形成用涂布液以及方法

[发明专利]一种耐高温热塑性有机聚硅氮烷的制备方法-CN201310294410.7有效
发明人：马克超;殷恒波;胡永明;毛雨林;王爱丽;冯永海;沈灵沁;谢文静 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温热塑性有机聚硅氮烷的制备方法，属于有机聚硅氮烷合成技术领域，具体是指一种主链上含线-环结构的聚硅氮烷的制备方法。该方法是在N2保护下，将一定量的二苯基二氯硅烷和三乙胺加入到反应釜中，在150～200℃下搅拌混合均匀，向反应釜中滴加一定量六甲基环三硅氮烷，滴加完毕后在150～200℃下继续进行聚合反应。反应结束后过滤除去固体，然后在减压条件下蒸出剩余的三乙胺和低沸物，得到有机聚硅氮烷产品。本发明在无溶剂条件下制备了有机聚硅氮烷，避免了有机溶剂对环境的污染，制备的主链上含线-环结构的聚硅氮烷为无色半透明高粘度粘稠状，具有良好的热稳定性以及热塑性，制备方法简单，产率高。
一种耐高温塑性有机聚硅氮烷制备方法