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[发明专利]包括离子阱的封装及其制造方法-CN201880054984.8有效
发明人： J·金;K·胡德克;G·弗里伊森;R·斯皮维;P·毛恩茨 -专利权人：杜克大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有改进热特性的封装级、集成高真空离子芯片外壳。根据本发明的外壳包含位于芯片载体的相对侧上的第一及第二腔室，其中所述腔室经由通过所述芯片载体的导管进行流体耦合。离子阱位于所述第一腔室中并且安置在所述芯片载体上。用于产生原子通量的源位于所述第二腔室中。将所述源与离子阱分离在不同腔室中提供所述源与离子阱之间的热隔离，而所述腔室之间的所述导管使得所述离子阱能够接收所述原子通量。
包括离子封装及其制造方法

[发明专利]垂直Ga2O3纳米管有序阵列及其制备方法-CN202110299773.4有效
发明人：修向前;张丽颖;谢自力;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直Ga2O3纳米管有序阵列的制备方法，其基本原理为利用β‑Ga2O3和GaN材料之间的刻蚀差异性，通过ICP刻蚀将热氧化后得到的GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列中的GaN核纳米线去除，从而制备出垂直排列的、尺寸可控的β‑Ga2O3纳米管阵列。首先在衬底上GaN薄膜表面蒸镀镍薄膜，退火，使得镍薄膜变成纳米岛状结构作为刻蚀掩膜，利用ICP刻蚀技术来制备获得GaN纳米线有序阵列；将获得GaN纳米线有序阵列在一定温度和氧气氛下进行热氧化，得到GaN/β‑Ga2O3纳米线阵列；采用利于GaN刻蚀的工艺条件，去除作为核的GaN纳米线，即可得到垂直Ga2O3纳米管有序阵列。这是一种全新的、成本较低的、相对简单的制备β‑Ga2O3纳米管的方法，在新型微纳电子学和光电子学领域具有潜在的应用前景。
垂直 ga2o3 纳米有序阵列及其制备方法

[实用新型]一种磁性纳米粒子调控装置-CN202120467533.6有效
发明人：王龙辰;郑元义;华晨;王介南;马新欣;孟哲颖 -专利权人：上海市第六人民医院
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械技术领域，特别涉及一种磁性纳米粒子的调控装置。一种磁性纳米粒子调控装置，包括支架、设置于支架上的旋转磁铁装置，用于控制支架进行空间运动的移动平台。所述旋转磁铁装置包括转动电机和设置于转动电机机轴上的永久磁铁。所述永久磁铁的数量为偶数个。本实用新型采用的技术方案能够准确控制旋转磁铁装置产生的磁场的磁场强度最强点在空间的位置，进而实现磁性纳米粒子的位移调控，在实际的医疗中，有着显著的效果。
一种磁性纳米粒子调控装置

[发明专利]一种超高真空二维材料制备系统及制备方法-CN202111366454.7在审
发明人：王文杰 -专利权人：仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种超高真空二维材料制备系统及制备方法，旨在解决现有的用机械剥离法制备二维材料的方式一般都在大气环境下进行，大气下的氧气很容易将二维材料氧化，进而改变所制备的二维材料的性质，无法获得准确二维材料观测和检测数据的问题，超高真空二维材料制备系统包括系统支架，所述系统支架上通过固定架安装有超高真空腔体，超高真空腔体的内腔中设有用于二维材料样品在超高真空环境下制备的二维材料操作机构，且超高真空腔体上设有：真空腔门；长焦显微镜；真空泵组，用于对超高真空腔体的内腔抽真空；真空计；观察窗；样品架传样杆；样品抓手传样杆。本发明尤其适用于二维材料的精细制备，具有较高的社会使用价值和应用前景。
一种超高真空二维材料制备系统方法

[发明专利]一种光学物理不可克隆函数器件及制备方法-CN202111295091.2在审
发明人：李倩;康健彬;苏娟;黄锋;王丕东;万永彪;张泰平;姚尧 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学物理不可克隆函数器件，包括衬底；位于衬底一侧表面的混沌超表面；混沌超表面对衬底设置的双层薄膜轰击刻蚀产生的混沌超表面；混沌超表面复合有量子点。利用离子束对双层纳米薄膜轰击刻蚀过程中发生的辐射化学反应来产生大面积的混沌超表面，该混沌超表面形成的混沌纳米网的不同位置的节点表现出不同的分支模式，呈现出类似指纹特征的脊端和分叉，该混沌超表面的网格具有随机性。通过混沌超表面对量子点的发光行为进行裁剪，表面等离激元效应使得量子点的荧光散斑与寿命对超表面的位置敏感，使得光学物理不可克隆函数器件可以发出无法被精确复制的光信号。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
一种光学物理不可克隆函数器件制备方法

[发明专利]溶液中硅纳米线及硅纳米板的无电生产-CN201780083712.6有效
发明人：吉奥拉·托帕斯 -专利权人：吉奥拉托帕斯粉末涂料(2007)有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造多个硅纳米线或多个硅纳米板的组合物以及方法，所述组合物包括：氢氧化钾(KOH)、至少一种催化剂、甲基硅酸钠(CH5NaO3Si)以及乙二胺四乙酸(EDTA)，所述乙二胺四乙酸作为一第一螯合剂。
溶液纳米生产

[发明专利]官能化酶驱动的纳米马达-CN201980080190.3在审
发明人： S·桑切斯·奥多涅斯;T·帕蒂诺·帕迪亚尔;A·C·洛普斯·霍泰劳 -专利权人：加泰罗尼亚生物工程基础研究所;加泰罗尼亚高级研究所
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种酶驱动的纳米马达，其包括具有表面的颗粒、酶和异源分子；其特征在于，所述酶和所述异源分子不连续地附着在所述颗粒的整个表面之上。本发明还提供了所述纳米马达，其用于治疗、诊断和预后，具体地用于治疗癌症。另外，本发明提供了纳米马达的用途，其用于检测分离的样品中的分析物。
官能驱动纳米马达

[发明专利]嵌段共聚物定向自组装刻蚀方法-CN202010495119.6在审
发明人：王凡;秦俊峰;赵珂;李天慧 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌段共聚物定向自组装刻蚀方法，通过在半导体基底上形成阻挡层及过渡层后，采用纳米压印法，无需制备抗反射层和硬掩膜层，即可在过渡层中形成具有较小特征尺寸的沟槽，进而通过沟槽可形成具有较小特征尺寸的间隔结构，且在去除过渡层后，可形成包覆间隔结构侧壁及覆盖阻挡层的中性层，以及在去除间隔结构后，可于中性层中形成填充沟槽的诱导结构，以基于诱导结构及中性层，进行嵌段共聚物层的定向自组装；本发明的嵌段共聚物定向自组装刻蚀方法，制备工艺简单，可缩小器件的特征尺寸，提高器件空间利用率及产品质量。
共聚物定向组装刻蚀方法

[发明专利]一种用于二维材料微纳米器件制备的多功能系统及方法-CN202111009419.X在审
发明人：王曾晖;梁亚春;朱健凯;肖飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种用于二维材料微纳米器件制备的多功能系统及方法，该多功能系统包括安装固定底座、位移模块、多功能转换模块、基底固定旋转模块。其中，安装固定底座能够固定支撑整个多功能系统。位移模块可以独立地沿X、Y、Z三个方向线性移动，方便实现二维晶体材料样品与基底之间的定位和对准操作。多功能转换模块仅在更换多功能转换片的情况下，实现了二维晶体材料转移和金属电极淀积之间的功能切换。基底固定旋转模块不仅可以固定基底，还可以进行旋转操作，调整二维晶体材料或者金属淀积用掩模版与基底之间的相对角度，使该系统在材料转移和金属电极淀积实现上有更好的灵活性。
一种用于二维材料纳米器件制备多功能系统方法

[实用新型]一种超声波纳米箔生产提取机-CN202023216759.3有效
发明人：顾叶锋 -专利权人：胜倍尔超强镀膜（苏州）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声波纳米箔生产提取机，其结构包括提取器和超声波发生器，所述提取器上设有夹杆、提取杆和联接头，所述夹杆活动连接在所述提取器的中间处，所述提取杆固定连接在所述提取器的下方，所述联接头固定连接在所述提取器的上端；所述夹杆的右侧设有调节器、角度调节螺栓、伸缩杆和底座，所述调节器固定连接在所述夹杆的右端，并且活动连接在所述伸缩杆上。通过角度调节螺栓的设计，能有效的方便对提取器的角度的调节，增加了提取器使用时的便捷性，提高了提取器在提取纳米箔时灵活性，通过太阳能电池板的设计，有效的减少了能源的消耗，避免了工作中电源线将工作人员绊倒，增强了使用时的便捷性，提高了节能环保的理念。
一种超声波纳米生产提取

[发明专利]一种采用飞秒激光加工多种纳米图案的方法-CN201911189281.9有效
发明人：宋晓伟;窦银萍;林景全;孙雪 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用飞秒激光加工多种纳米图案的方法，属于纳米结构制备技术领域。本发明包括七个步骤：(1)将清洗后的硅片做亲水处理后清洗吹干；(2)将浓度为5％的、粒子直径为200nm且溶剂为去离子水的金纳米粒子溶液与柠檬酸钠混合，利用搅拌器搅拌均匀；(3)将溶液液体滴在硅片表面；(4)利用转盘旋转硅片，改变柠檬酸钠填入量和旋涂参数，旋涂金纳米粒子于硅片表面并形成溶液沉积薄膜；(5)把硅片置于电阻炉干燥；(6)利用飞秒激光垂直照射制备好的具有金纳米粒子和沉积薄膜的硅片；(7)改变飞秒激光参数和所述沉积薄膜的参数，实现制备多种纳米加工图案。
一种采用激光加工多种纳米图案方法

[发明专利]一种激光纳米材料加工方法及加工系统-CN202110707195.3有效
发明人：韩坤;蔡鑫 -专利权人：宁波齐云新材料技术有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光纳米材料加工方法及加工系统。加工系统包括激光器、光束整形模块、靶材模块和监测模块，并且设置了位于液体界面处的靶座，使得激光从液体界面出进入并烧蚀处于不同环境中的不同靶材，由于靶材距离界面很近，因此可以很容易的在界面进行自组装，可以使得靶材在界面处进行自组装得到单层膜，这种制备方式控制性好，比化学制备方式更加节能环保，无污染；使用透过率监测间接监测液体界面的自组装过程，准确性好，且监测成本低；本发明的装置和方法适合制备各种成分的纳米单层膜结构，可以广泛的应用于各个科研实验室。
一种激光纳米材料加工方法系统

[发明专利]一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法-CN202110822784.6在审
发明人：向东;谭敏;倪立发;赵雪妍;赵智宾;刘海洋 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法，涉及到的石墨烯芯片由压电片、聚酰亚胺和石墨烯电极组成，以压电片和聚酰亚胺作为基底，石墨烯电极通过吸附力固定在聚酰亚胺上方，所述石墨烯电极是通过镂空掩膜版和镀膜加工工艺将电极图形转移到石墨烯/PMMA上，利用反应离子刻蚀技术将石墨烯刻蚀成电极形状；通过调控施加在压电片上的电压使其沿水平方向膨胀伸长从而将石墨烯电极拉伸，同时利用电迁移法将石墨烯电极烧断形成间隙，通过压电片的膨胀和收缩来精密调节电极间的距离。该方法工艺简单、成本低廉，实现了可控间隙的石墨烯电极的片上大规模集成，为碳基分子电子器件的发展奠定了基础。
一种连续可控间隙石墨纳米电极阵列制备方法

[发明专利]利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法-CN202010248425.X有效
发明人：余林蔚;董泰阁;孙莹;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法，包括基于IP‑SLS生长方法并结合台阶沟道引导技术生长出晶态硅纳米线阵列，将此晶态硅纳米线阵列通过转移法进行交叉堆叠形成三维空间结构的多层纳米线阵列结构，再制备成手性器件。本发明把平行密排长直纳米线阵列通过转移的方法，并且每次每层转移都旋转一定角度，然后把纳米线阵列进行空间上的堆叠，将可以获得类似缓偏器的效应。将长直平行硅纳米线阵列的双折射和缓偏器两种效应结合，可以制备出具有高光学活性，高不对称因子的手性光学器件。
利用晶态纳米阵列堆叠制备光学手性器件方法

[发明专利]一种孔径尺寸可控的金属型二碲化铬纳米孔的制备方法-CN201911337371.8有效
发明人：吴幸;仲思雨;骆晨;徐何军;王超伦;陈新倩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种孔径尺寸可控的金属型二碲化铬纳米孔的制备方法，本发明采用透射电子显微镜的电子束通过聚焦并调节电子束束流，在加热条件下对金属型二碲化铬薄片进行辐照，从而在金属型二碲化铬薄片上制备出纳米孔，持续电子束辐照，调节电子束束流，实现扩大和修复纳米孔，从而获得多边形形状的金属型二碲化铬纳米孔。本发明通过控制透射电子显微镜的电子束束流，对纳米孔边缘原子的调控形成规则的多边形结构，实现纳米孔的制备与修复，对纳米器件制造领域的开拓与发展具有重要的引领作用。
一种孔径尺寸可控金属型二碲化铬纳米制备方法