专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法-CN201610487730.8有效
  • 袁立嘉 - 北京随能科技有限公司
  • 2016-06-28 - 2018-12-11 - B82B3/00
  • 本发明涉及一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法,根据本发明的方法,提供一种聚合物,所述聚合物具有相应的表面;在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层,通过所述沉积形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区,以及未被所述金属层覆盖的暴露区;对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻,使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻,而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻,由此形成聚合物的纳米柱阵列。本发明的实现了一种聚合物纳米阵列高度可控,又能够快速成型、适用性广、成本较低且大面积的制备垂直纳米线阵列的方法。
  • 一种聚合物纳米阵列模板制备方法
  • [发明专利]用于气敏传感器的贵金属负载氧化钨纳米线的合成方法-CN201610953128.9有效
  • 席广成;钟坚海;白桦 - 中国检验检疫科学研究院
  • 2016-11-03 - 2018-11-30 - B82B1/00
  • 本发明公开了一种用于气敏传感器的贵金属负载氧化钨纳米线的合成方法,包括以下步骤:称取若干富含氧缺陷的氧化钨纳米线,超声分散至去离子水中,搅拌均匀形成蓝色悬浊液;量取若干贵金属盐溶液并分成两份,分两次边搅拌边向蓝色悬浊液中加入贵金属盐溶液;将混合物转入离心管,离心得到上层液体和底部的固体,弃去上层液体,保留底部的固体;清洗固体;清洗后的固体经干燥得到最终产物。本发明利用富含氧缺陷的氧化钨自身的还原性,在其表面直接还原负载贵金属,使得材料具有极佳的纯度无需任何后处理过程进行纯化,从而使得本发明成为一个室温水相反应过程,具有安全性高、可操作性强、易推广的特点。
  • 用于传感器贵金属负载氧化钨纳米合成方法
  • [发明专利]一种硅藻壳微粒单层阵列的方法-CN201610855502.1有效
  • 张文强;李容;张德远 - 中国农业大学
  • 2016-09-27 - 2018-11-27 - B82B3/00
  • 本发明公开了属于微纳米先进制造技术领域的一种硅藻壳微粒单层阵列的方法。本发明通过正己烷溶胀和阵列管脚转移两种方法实现硅藻壳微粒阵列化。正己烷溶胀阵列方法将密排后的硅藻壳微粒转移至PDMS块上,通过液态正己烷溶胀PDMS后,再将其置于气态正己烷中,实现大面积硅藻壳微粒的快速阵列,该方法简单、快速、成本低,使得硅藻壳片单个单元化,壳片与壳片之间等距阵列,为各类基于硅藻、硅藻土微器件的制备和应用提供技术支撑。管脚阵列转移方法将等距管脚粘附密排后的硅藻壳微粒后,转移到具有一定黏性的PDMS块上,实现单层区域硅藻壳微粒阵列化,该方法简单、快速,可设计管脚接触面图案实现单层密排硅藻图案阵列化。
  • 一种硅藻微粒单层阵列方法
  • [发明专利]一种纳米材料切断加工方法-CN201710045914.3有效
  • 许婷婷;裴永永;田永涛;李新建 - 郑州大学
  • 2017-01-22 - 2018-11-09 - B82B3/00
  • 本发明涉及纳米材料加工技术领域,具体涉及一种纳米材料切断加工方法,包括将纳米材料接触Li+发生锂化反应,然后对纳米材料施力,使纳米材料从已锂化位置和未锂化位置交界处断裂,实现对纳米材料的切断。本发明纳米材料切断方法是利用原位锂化的方式使纳米材料锂化膨胀产生应力效应,使得纳米材料在已锂化和未锂化的交界处受到拉应力或者弯曲应力即可断裂,完成纳米材料的切断。其切断的机理与纳米材料的锂化有关,通过控制锂化速率和锂化时间,实现纳米材料锂化长度的可控性,实现对纳米材料在长度方向上切断的精确可控加工,并且不受加工材料厚度、导电能力等性能的影响,适用范围广,操作方便,易于控制,适于推广应用。
  • 一种纳米材料切断加工方法
  • [发明专利]硅纳米线阵列的制备方法-CN201480052091.1有效
  • 尹明汉;李世宁 - 光州科学技术院
  • 2014-07-14 - 2018-10-16 - B82B3/00
  • 本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法,包括以下步骤:使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于硅基板上;在所述塑料粒子之间形成催化剂层;除去所述塑料粒子;垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位;及除去所述催化剂层。根据本发明,工艺简单,费用低,通过大面积工艺能够实现批量生产,在资源有限的地方也能够制备纳米线,可以独立控制纳米线的结构。
  • 纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种纳米级硅藻壳颗粒单层阵列及其制备方法-CN201610998529.6有效
  • 李风浪;李舒歆 - 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
  • 2016-11-14 - 2018-10-02 - B82B3/00
  • 本发明提供一种纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列及其制备方法,具体制备方法为:硅藻土通过聚焦高能密度脉冲激光束在氧气氛围中进行烧灼处理得到纳米级硅藻壳颗粒,然后将纳米级硅藻壳颗粒疏水整理后于空气‑水的表面形成密排的纳米级硅藻壳颗粒膜,用亲水改性的基片转移至自然固化的PDMS上,然后通过PDMS在正己烷中溶胀处理得到纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列。本发明通过激光烧灼法对硅藻土实现快速高效的整理,使硅藻土的粒径规整,多孔结构纳米化多级化,再通过自组装和PDMS的易转移和溶胀特性,实现纳米级硅藻壳颗粒单层大面积阵列,具有高比表面积、高稳定性、高活性等优点,扩大了硅藻壳的应用领域。
  • 一种纳米硅藻颗粒单层大面积阵列及其制备方法

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