[发明专利]生产中间层通道及对其有用的层压制体前体的方法无效

专利信息
申请号: 99815464.4 申请日: 1999-11-05
公开(公告)号: CN1333999A 公开(公告)日: 2002-01-30
发明(设计)人: G·C·史密斯;M·佩蒂 申请(专利权)人: 联合讯号公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K3/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,钟守期
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 生产 中间层 通道 有用 压制 体前体 方法
【权利要求书】:

1.一种金属包盖的层压制品,包括:

(a)具有第一表面和第二表面的载片;

(b)一层覆盖在载片第一表面上的脱膜剂层;

(c)一层半透明金属层,包括沉积在该脱膜剂层上厚约50-3000埃的至少一层导电金属层;及

(d)一层沉积于该导电金属层上的光致介电层。

2.按照权利要求1的金属包盖的层压制品,其中该导电金属层包括一层金属。

3.按照权利要求1的金属包盖的层压制品,其中该导电金属层厚度约200-1000埃。

4.按照权利要求1的金属包盖的层压制品,其中该光致介电层是与包括曝光电路层的底物相关联的。

5.一种电路板中间制品,包括:

(a)具有第一面和第二面的载片;

(b)一层覆盖在载片第一面上的脱膜剂层;

(c)一层半透明金属层,包括沉积在该脱膜剂层上厚约50-1000埃的至少一层导电金属层;及

(d)一层沉积于该导电金属层上的光致介电层;

(e)一层包括与光致介电层相关联的曝光电路层的底物。

6.一种生产中间层通道的方法,包括步骤:

(a)制备一种还包括如下部分的电路板中间体:(1)一层底物;(2)一层沉积在该底物上的光致介电层;(3)一层沉积在该光致介电层上的半透明金属层;及(4)至少一层嵌入电路;

(b)使该电路板中间体的至少一部分曝光,使光穿透该半透明金属层一段足够的时间,以形成曝光后的光致介质部分;

(c)脱除光致介电层曝光部分及覆盖该光致介电层曝光部分的相应半透明金属层部分,以形成通道。

7.按照权利要求6的方法,其中该嵌入电路是通过该通道曝光的。

8.按照权利要求7的方法,还包括涂敷导电联接部分的步骤,使嵌入电路与半透明金属层合成一导电体。

9.按照权利要求8的方法,还包括在至少一部分半透明金属层上蚀刻及镀敷的步骤,以形成一种多层印刷电路板。

10.一种生产中间层通道的方法,包括步骤:

(a)制备一种还包括如下部分的电路板中间体:(1)一层底物;(2)一层沉积在该底物上的光致介电层;(3)一层沉积在该光致介电层上的半透明金属层;及(4)至少一层嵌入电路;

(b)使该电路板中间体的至少一部分曝光,使光穿透过该半透明金属层一段足够时间,形成曝光后的光致介质部分;

(c)脱除光致介电层未曝光部分及覆盖该光致介电层未曝光部分的相应半透明金属层部分,以形成通道。

11.按照权利要求10的方法,其中该嵌入电路是通过该通道曝光的。

12.按照权利要求11的方法,还包括涂敷导电联接部分的步骤,使嵌入电路与半透明金属层合成一导电体。

13.按照权利要求12的方法,还包括在至少一部分半透明金属层上蚀刻及镀敷的步骤,以形成一种多层印刷电路板。

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