[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体器件，其中形成至少两层以上的铝布线层，用连接栓塞连接上层布线层和下层布线层，

其特征在于，用铝或铝合金形成所述连接栓塞，在所述连接栓塞的侧壁上形成氧化层。

2．一种半导体器件，其中在覆盖布线间的绝缘膜内形成用于降低布线间电容的气隙，

其特征在于，在叠置所述绝缘膜时，叠置部分剖面的纵横比至少在1.5以上。

3．一种半导体器件，其中在覆盖布线间的绝缘膜内形成用于降低布线间电容的气隙，

其特征在于，在所述布线上沿该布线形成绝缘膜，并且，所述绝缘膜的膜厚为所述铝膜膜厚的30％至60％。

4．一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中形成至少两层以上的布线层，用连接栓塞连接上层布线层和下层布线层的布线膜，

其特征在于，在形成所述连接栓塞后，按自对准形成所述下层布线和所述连接栓塞的接合。

5．一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中形成至少两层以上的多层布线，其特征在于该方法包括：

第一工序，形成覆盖半导体基片上的第一绝缘膜，

第二工序，在所述第一绝缘膜上叠置由高熔点金属或其化合物构成的第一金属层，

第三工序，在所述第一金属层上叠置由铝或铝合金构成的第二金属层，

第四工序，在所述第二金属层上叠置第三金属层，

第五工序，在所述第三金属层上叠置由铝或铝合金构成的第四金属层，

第六工序，在所述第四金属层上叠置第五金属层，

第七工序，在所述第五金属层上叠置第二绝缘膜，

第八工序，在所述第二绝缘膜上形成光刻胶图形，利用该光刻胶图形构图所述第二绝缘膜，

第九工序，以所述已构图的第二绝缘膜作掩模，腐蚀连接栓塞部分以外的所述第五金属层和第四金属层，形成使第三金属层露出的连接栓塞，

第十工序，氧化已构图的所述第四金属层的侧壁，

第十一工序，形成用于大致覆盖所述第四金属层的期望布线图形的光刻胶图形，

第十二工序，根据所述光刻胶图形腐蚀所述第三金属层、第二金属层、第一金属层，形成布线图形，

第十三工序，在除去所述光刻胶图形后，将第二绝缘膜叠置在整个表面上，和

第十四工序，抛光所述第二绝缘膜的表面，使所述第五金属层露出。

6．一种半导体器件的制造方法，该半导体器件中形成至少两层以上的多层布线，其特征在于该方法包括：

第一工序，形成覆盖半导体基片上的第一绝缘膜，

第二工序，在所述第一绝缘膜上叠置第一金属层，

第三工序，在所述第一金属层上叠置第二绝缘膜，

第四工序，在所述第二绝缘膜上叠置第三绝缘膜，

第五工序，在将用于连接下部布线层和上部布线层的连接孔形成在第二绝缘膜和第三绝缘膜上后，在该连接孔中埋设金属，

第六工序，在包括所述第三绝缘膜上的所述连接孔的金属上形成光刻胶图形，使用该光刻胶图形，有选择地腐蚀第三绝缘膜和所述第二绝缘膜，

第七工序，以所述连接孔内的金属和已腐蚀的第三绝缘膜、第二绝缘膜作掩模，构图第一金属层，

第八工序，在整个表面上叠置第四绝缘膜，同时在所述第四绝缘膜内形成空洞部分，和

第九工序，抛光所述第四绝缘膜的表面，使所述第三绝缘膜露出。

7．如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在叠置所述第四绝缘膜时，叠置部分的纵横比至少在1.5以上。

8．一种半导体器件的制造方法，在半导体器件中为了降低布线间电容在覆盖布线间的绝缘膜内形成气隙，其特征在于该方法包括：

第一工序，在半导体基片上形成层间绝缘膜，

第二工序，在所述层间绝缘膜上形成铝膜，

第三工序，在所述铝膜上形成硅氧化膜，

第四工序，在所述硅氧化膜上形成光刻胶膜，构图所述硅氧化膜，

第五工序，以所述硅氧化膜作掩模，构图所述铝膜，和

第六工序，在整个表面上叠置绝缘膜，同时在所述绝缘膜内形成气隙。

9．一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中为了降低布线间电容在覆盖布线间的绝缘膜内形成气隙，其特征在于，

所述绝缘膜的膜厚为所述铝膜膜厚的30％至60％。