[发明专利]抛光剂组合物无效
申请号: | 97126031.1 | 申请日: | 1997-12-05 |
公开(公告)号: | CN1185471A | 公开(公告)日: | 1998-06-24 |
发明(设计)人: | 三蒲司朗;河村笃纪;玉井一诚 | 申请(专利权)人: | 不二见株式会社 |
主分类号: | C09G1/18 | 分类号: | C09G1/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 刘立平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 组合 | ||
1.一种抛光剂组合物,包含气相二氧化硅、碱性钾化合物及水,其电导率为100-5,500μs/cm。
2.如权利要求1所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的碱性钾化合物选自氢氧化物、磷酸盐、焦磷酸盐、亚磷酸盐、碳酸盐、硅酸盐、硼酸盐、次氯酸盐、次溴酸盐或羧酸盐。
3.如权利要求1或2所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的碱性钾化合物含量为基于抛光剂组合物总量的0.01-0.5%(重量)。
4.一种抛光剂组合物,包含气相二氧化硅、含氮碱性化合物及水,其电导率为100-1,500μs/cm。
5.如权利要求4所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的含氮碱性化合物选自氢氧化铵、硅酸铵、磷酸铵、碳酸铵、硼酸铵、次氯酸铵、次溴酸铵或胺化合物。
6.如权利要求4或5所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的含氮碱性化合物含量为基于抛光剂组合物总量的0.01-1%(重量)。
7.如权利要求1-6之任一项所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的气相二氧化硅具有5-80nm的初级粒子子平均粒径。
8.一种抛光剂组合物,所述抛光剂组合物包括胶态二氧化硅及水,其电导率为30-5,000μs/cm。
9.如权利要求8所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述抛光剂组合物进一步包括碱性钾化合物。
10.如权利要求9所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的碱性钾化合物选自氢氧化物、磷酸盐、焦磷酸盐、亚磷酸盐、碳酸盐、硅酸盐、硼酸盐、次氯酸、次溴酸盐或羧酸盐。
11.如权利要求9或10所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的碱性钾化合物的最大含量为基于抛光剂组合物总量的1.5%(重量)。
12.一种抛光剂组合物,包含胶态二氧化硅、含氮碱性化合物及水,其电导率为30-1,500μs/cm。
13.如权利要求12所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的含氮碱性化合物选自氢氧化铵、硅酸铵、磷酸铵、碳酸铵、硼酸铵、次氯酸铵、次溴酸铵或胺化合物。
14.如权利要求12或13所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的含氮碱性化合物含量为基于抛光剂组合物总量的0.01-0.5%(重量)。
15.如权利要求8-14之任一项所述的抛光剂组合物,其特征在于,所述的胶态二氧化硅具有5-200nm的初级粒子平均粒径。
16.一种权利要求1、4、8或12所述的抛光剂组合物的用途,其特征在于,该用途是用于二氧化硅薄膜的抛光。
17.一种二氧化硅薄膜的抛光方法,其特征在于,是使用权利要求1、4、8或12所限定的抛光组合物对二氧化硅薄膜进行抛光。
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