[发明专利]加工集成电路布线的方法

权利要求书

1.一种加工集成电路布线的方法，

-在一个半导体衬底(11)的主表面(12)上腐蚀第一隔离沟道(13)和第二隔离沟道(14)，第一隔离沟道(13)和第二隔离沟道(14)确定有源区(15)，

-第一隔离沟道(13)的宽度小于第二隔离沟道(14)，

-制成一个具有易于覆盖棱角的第一隔离层(16)，第一隔离层(16)将第一隔离沟道(13)基本上填充满，

-制成一个掩膜(17)，该掩膜(17)具有一些开口(18)，开口(18)位于第一隔离沟道(13)和有源区(15)之上，并且在有源区(15)之上的开口(18)从侧面与有源区(15)重叠，

-采用各向异性腐蚀方法构成第一隔离层(16)，同时在第二隔离沟道(14)内制成支撑结构(161)和在第二隔离沟道的侧翼制成隔离体(162)，

-除去掩膜(17)，

-制成一个具有基本上平面化上表面的第二绝缘层(120)，

-通过平面化处理过程将有源区(15)范围的主表面(12)露出。

2.根据权利要求1所述的方法，

掩膜(17)的开口(18)高于有源区(15)并且从侧面有一段与有源区(15)重叠，该段的宽度至少与第一绝缘层(16)的厚度相同。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其平面化处理过程是采用各向异性干腐蚀方法。

4.根据权利要求1至3的任一权利要求所述的方法，

-在腐蚀加工第一隔离沟道(25)和第二隔离沟道(26)之前，在半导体衬底(21)的主表面制成一个栅极介电质(22)和一第一电极层(23)，

-在腐蚀加工第一隔离沟道(25)和第二隔离沟道(26)时，构成栅极介电质(22)和第一电极层(23)，

-在平面化处理过程中，所构成的第一电极层(23)的上表面被露出。

5.根据权利要求4所述的方法，

在腐蚀加工第一隔离沟道(25)和第二隔离沟道(26)之后，进行高温氧化过程处理。

6.根据权利要求4或5所述的方法，

在生成第二隔离层时，至少有一层(212)由可流动的氧化物淀积并且通过流动制成。

7.根据权利要求4至6之任一权利要求所述的方法，

-在平面化处理过程后又制成一个第二电极层(214)，

-采用一个共同的掩膜对第二电极层(214)和第一电极层(23)进行构成加工，并且在第一电极层(23)上制成栅电极和在第二电极层(214)上制成一个用于栅电极之间极连接的导电面(215)，

-制成源/漏区(216)，该源/漏区(216)与一个栅电极共同构成一个MOS晶体管。

8.根据权利要求7所述的方法，

-制成至少一个n沟道MOS晶体管和一个p沟道MOS晶体管，这两种晶体管有不同掺杂的栅极，

-为了对栅电极进行不同的掺杂，在制成第二电极层(214)之前，对已构成的第一电极层23进行不同的掺杂。

9.根据权利要求1至8之任一权利要求所述的方法，

-第一绝缘层由SiO₂构成，

-第一电极层(23)由掺杂的多晶硅构成，

-第二电极层(214)至少具有一种掺杂硅，金属硅，金属和/或一种有机导体，

-至少在半导体衬底的主表面范围内为单晶硅。