[发明专利]固态图像拾取器件及其控制方法无效
申请号: | 97121720.3 | 申请日: | 1997-12-17 |
公开(公告)号: | CN1097315C | 公开(公告)日: | 2002-12-25 |
发明(设计)人: | 田边顕人 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/339 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 器件 及其 控制 方法 | ||
1.一种控制固态图像拾取器件的方法,该固态图像拾取器件包括:
多个光电转换器件(36),用于从一个携带图像的光产生电荷分组,
多个电阻性栅极电荷转移单元(41),分别具有相应的电荷转移沟道区(37)和相应的以电容方式耦合于所述电荷转移沟道区的电阻性栅极(40),
多个第一传输门元件(50),分别具有连接在所述多个光电转换器件和所述电荷转移沟道区之间的相应第一传输门沟道区(32a),并且有选择地在导通状态和截止状态之间变化,用来向所述电荷转移沟道区转移特定电荷分组,和
多个可连接于所述电荷转移沟道区的电荷累积势阱,用来累积所述电荷分组,
水平电荷转移单元(46),可电连接于所述多个电荷累积势阱,用来向一个输出电路(54)转移所述电荷分组,
所述电荷转移沟道区具有相应的第一端(RG1)和相应的比所述第一端更靠近所述水平电荷转移单元的第二端(RG2),
其特征在于:
所述方法包括步骤:
a)使所述第一端(RG1)下的所述电荷转移沟道区中的电位高于处在所述导通状态的所述第一传输门沟道区(32a)中的电位,以便分别通过所述第一传输门沟道区向所述电荷转移沟道区转移所述特定电荷分组,
b)把所述第一传输门元件(50)转变为所述截止状态,和
c)把所述第一端(RG1)下的所述电荷转移沟道区中的电位转变为低于在所述步骤a)中所述第一端下的所述电荷转移沟道区中的所述电位和一个所述第二端(RG2)下的所述电荷转移沟道区中的电位,并且高于在所述截止状态的所述第一传输门沟道区(32a)中的所述电位的特定电平,以便向所述多个电荷累积势阱转移所述特定电荷分组。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一端下的所述电荷转移沟道区中的所述电位等于在所述步骤a)中所述第二端下的所述电荷转移沟道区中的所述电位。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述固态图像拾取器件还包括一个具有一个连接在所述多个电荷转移沟道区和所述多个电荷累积势阱之间的第二传输门沟道区的第二传输门元件(60),
在所述步骤a)中所述第一端下的所述电荷转移沟道区中的所述电位高于所述第二传输门元件的所述第二传输门沟道区中的电位,
在所述步骤c)中所述第二传输门元件转变为导通状态,以便向所述多个电荷累积势阱转移所述电荷分组。
4.一种控制固态图像拾取器件的方法,固态图像拾取器件包括:
多个用于从入射光产生电荷分组的光电转换器件(36),
多个电阻性栅极垂直电荷转移单元(41),分别具有相应的电荷转移沟道区(37),和相应的以电容方式耦合于所述电荷转移沟道区的电阻性栅极(40),
多个第一传输门元件(50),分别具有连接在所述多个光电转换元件和所述电荷转移沟道区之间的相应第一沟道区(32a)和以电容方式耦合于所述第一沟道区的第一传输门电极(49a),用来分别从选定的光电转换元件向所述电荷转移沟道区转移特定电荷分组,
水平电荷转移单元(46),可电连接于所述电荷转移沟道区的用来向一个输出电路转移所述电荷分组,和
控制器件(RG1/RG2/51),连接于所述电阻性栅极(40)的第一端和比所述第一端更靠近所述水平电荷转移单元(46)的所述电阻性栅极的第二端,
所述方法包括步骤:
a)从所述控制器件分别向所述第一端和所述第二端供给一个第一电位(VH-RG1)和一个第二电位(VL-RG2;VH-RG2),以便增加所述选定的光电转换元件与所述电荷转移沟道区之间的电位差,
b)从所述控制器件向所述第一传输门电极提供一个第三电位(VH-Tr),使得能够通过所述第一沟道区从所述选定光电转换器件向所述电荷转移沟道区转移电荷分组,和
c)从所述控制器件向所述第一端提供第四电位(VL-RG1),以便加大沿所述电荷转移沟道区的电位梯度,从而使所述多个电阻性栅极垂直电荷转移单元向所述水平电荷转移单元转移所述电荷分组。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述第一电位(VH-RG1)与所述第二电位(VH-RG2)不同,以便产生一个用于从所述第一端向所述第二端转移所述电荷分组的初始电位梯度,并且在所述步骤c)所述电位梯度大于所述初始电位梯度。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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