[发明专利]金属氧化物薄膜电阻器无效
| 申请号： | 96190234.5 | 申请日： | 1996-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1056459C | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 服部章良;堀喜博;池田正树;吉田昭彦;进藤泰宏;五十岚幸造 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 电阻器 | ||
1.一种金属氧化物薄膜电阻器，具备绝缘性基体材料，其特征在于，还具备在所述基体材料上形成的金属氧化物电阻薄膜；所述金属氧化物电阻薄膜至少由电阻温度系数显示出正值的金属氧化物薄膜和电阻温度系数显示出负值的金属氧化物薄膜构成，所述电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜以氧化锡、氧化铟及氧化锌中的至少一种为主要成份。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述金属氧化物电阻薄膜由形成于所述基体材料上的具有负电阻温度系数的金属氧化物薄膜和形成于其上的具有正的电阻温度系数的金属氧化物薄膜构成。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述金属氧化物电阻薄膜由形成于所述基体材料上的具有正电阻温度系数的金属氧化薄膜和形成于前述金属氧化物薄膜上的具有负电阻温度系数的金属氧化物薄膜构成。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述金属氧物电阻薄膜由在所述基体材料上形成的具有负电阻温度系数的第1金属氧化物薄膜、形成于所述第一金属氧化物薄膜上的具有正电阻温度系数的第2金属氧化物薄膜，以及形成于所述第2金属氧化物薄膜上的具有负电阻温度系数的第3金属氧化物薄膜构成。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，在所述金属氧化物电阻薄膜的上层及/或下层形成金属氧化物绝缘薄膜。
6.根据权利要求5所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述基体材料上的金属氧化物绝缘薄膜的厚度比所述基体材料的表面粗糙度还小。
7.根据权利要求5所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述金属氧化物绝缘薄膜以从二氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆和二氧化硅所组成的群体中选出的至少一种为主要成份。
8.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，所述金属氧化物绝缘薄膜以从二氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆和二氧化硅所组成的群体中选出的至少一种为主要成份。
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