[发明专利]含由导电极和托盘形导电层构成的电容电极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，它包括一电容器，该电容器包括第一电容器电极(53—55)和第二电容器电极(39)，在其间插有电容器介质膜(37)，所述的第一电容器电极包括一具有限定预定长度的电极端头、电极轴、和周缘面的导体电极(53)；以及盘形托架导体层(55)，盘形托架导体层(55)有一托架轴其是在所述周缘面的预在位置上通过平行于所述的电极轴的所述的托架轴由所述的导体电极托架的；还包括一垂直于所述电极轴自所述周缘面延伸的、有一平台周缘的平台部分(57)；和一周缘部分(55)，周缘部分(55)是平行于所述的电极轴自所述平台周缘朝电极端头延伸的，其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)还包括一具有一附加轴的、通过平行于所述电极轴的所述附加轴由所述的周缘部分托架的盘形附加导体层(71)；还包括一个自所述周缘面与所述平台部分(57)同平面上延伸的、且有一平面部分周缘的平面部分(73)；自所述平面部分周缘平行于所述电极轴向所述电极端头延伸的附加部分(75)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的盘形托架导体层(55)被所述的导体电极(53)多重地托架在所述周缘面的许多预定水平上，如至少在第一和第二水平上的第一盘形托架导体层(55(1))和第二盘形托架导体层(55(2))自远到近的接近所述电极端头；所述的第一盘形托架导体层具有一平行于所述电极轴的第一托架轴并包括一第一平台部分(57(1))，第一平台部分(57(1))自所述的周缘面垂直于所述电极轴延伸，并具有一第一平台周缘和第一周缘部分(59(1))，第一周缘部分(59(1))平行于所述的电极轴自所述第一平台周缘朝向所述电极端头延伸，并具有所述的周缘面；所述的第二盘形托架导体层具有一平行于所述电极轴的第二托架轴，还包括一自所述的周缘面垂直于所述电极轴延伸至比所述第一平台部分更接近电极端头的第二平台部分(57(2))，并具有一比所述第一平台周缘更接近所述电极轴的第二平台周缘和一第二周缘部分(59(2))，第二周缘部分(59(2))平行于所述电极轴自所述第二平台周缘朝所述电极端头延伸；所述的盘形附加导体层(71)包括具有第一和第二附加轴、在所述第一和第二水平上自所述周缘面延伸且所述第一和第二附加轴平行于所述电极轴的第一盘形附加导体层(71(1))和第二盘形附加导体层(71(2))；所述的第一盘形附加导体层包括一自与所述第一平台部分同平面的所述周缘面延伸的且有第一平面部分周缘的第一平面部分(73(1))和一第一附加部分(75(1))，第一附加部分(75(1))自所述第一平面部分周缘平行于所述的电极轴朝所述电极端头延伸；所述第二盘形附加导体层包括一在预定水平上自所述周缘面延伸的、且有一比所述第一平面部分周缘更接近所述电极轴的第二平面部分周缘的第二平面部分(73(2))和一第二附加部分(75(2))，第二附加部分(75(2))自所述第二平面部分周缘平行于所述电极轴朝所述电极端头延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的盘形托架导体层被所述的导体电极(53)多重地托架在所述周缘面的许多预定水平上，如至少第一盘形托架层(55(1))和第二盘形托架层(55(2))；所述第一盘形导体层具有一平行于所述电极轴的第一托架轴并包括一自所述周缘面垂直于所述电极轴延伸的、且有第一平台周缘的第一平台部分(57(1))和一第一周缘部分(59(1))，第一周缘部分(59(1))自所述第一平台周缘平行于所述电极轴朝所述电极端头延伸并具有所述周缘面；所述第二盘形托架导体层具有一平行于所述电极轴的第二托架轴，并包括一自所述周缘面垂直于所述电极轴比所述第一平台部分更接近所述电极轴端头地延伸且有一比第一平台周缘更接近所述电极轴的第二平台周缘的第二平台部分(57(2))和一第二周缘部分(59(2))，第二周缘部分(59(2))平行于所述电极轴自所述第二平台周缘朝电极端头延伸。

4.根据权利要求1至3中任何一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)还包括一在所述电机端头上的平面导体层(69)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)和所述第二电容器电极(39)中的每一个都具有与所述电容器介质膜(37)相接的波纹形表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的第一电容器电极(53—55)是由掺杂的多晶硅制成的。