[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96108208.9 | 申请日： | 1996-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1143260A | 公开（公告）日： | 1997-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄儁 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒,萧掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
一个SOI晶片，具有一硅基片、一绝缘层和一SOI层；
一个有源区，通过以第一类杂质离子进行掺杂而在所述SOI层的第一选择区域形成；以及
一个隔离区，形成在所述SOI层的第二选择区域，其中该隔离区是以第二类杂质离子进行掺杂的，以便将另一个与所述有源区相邻的有源区隔离开来。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类杂质的类型是与所述第二类杂质的类型相反的。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二类杂质的浓度高于所述第一类杂质的浓度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层是由氧化膜或氮化膜形成的。
5.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
提供一个SOI晶片，其中以叠层结构形成一硅基片、一绝缘层和一SOI层；
注入第一类杂质离子而在所述SOI层中第一选择区域形成一有源区；以及
注入第二类杂质离子而在所述SOI层中第二选择区域形成一隔离区。
6.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述的第一类杂质的类型是与所述第二类杂质的类型相反的。
7.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第二类杂质的浓度高于所述第一类杂质的浓度。
8.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述绝缘层是由氧化膜或氮化膜形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
