[发明专利]发射γ和X射线同位素的改进定量测定法

权利要求书

1、具有非常低放射性，小于100微微居里的符合γ/X射线(CGX)发射体的使用，用于定量测量。

2、根据权利要求1的使用，其中所述CGX放射性同位素寿命在5小时至1年之间，可由所述的同位素表1-4中选取。

3、根据权利要求1的使用，其中所述放射性发射体是共价键合元素的同位素。

4、根据权利要求1的使用，其中所述放射性发射体是碘和/或溴的同位素，尤其是I¹²⁵同位素。

5、根据权利要求1的使用，其中所述放射性发射体是可用于共轭有机化合物的螯合过程中的元素同位素，包括CGX镧系同位素。

6、测定非常低放射性，小于100pci的CGX同位素的装置，它包括至少二个以符合方式使用的高能光子探测器。

7、根据权利要求6的装置，其中至少一个所述的探测器是适用于探测器X射线的Ge-半导体探测器，即该探测器的厚度小于0.5英寸，并使用一个具有薄铍或铝窗的恒低温器。

8、根据权利要求6的装置，其中至少一个所述的探测器是空间分辨的气体探测器。

9、根据权利要求8的装置，其中所述的空间分辨探测器是一个薄的自限制电子流室，空间分辨率由成象取得，同时使用一个CCD摄象机。

10、根据权利要求6的装置，其中至少一个所述的探测器是一个闪烁体，包括其中闪烁体是一种具有良好能量分辨率的无机闪烁体的情况。

11、根据权利要求10的装置，其中所述的闪烁体是一种适当掺杂的NaI或CaF₂晶体，其厚度小于0.5英寸。

12、根据权利要求10的装置，其中光电倍增管用于放大来自所述闪烁体的信号。

13、根据权利要求10的装置，其中使用大面积的光电二极管或雪崩光电二极管以放大所述的闪烁体的信号。

14、根据权利要求10的装置，其中低放射性的本底石英窗放置在所述闪烁体和光电二极管之间。

15、根据权利要求10的装置，其中使用低放射性本底的外壳以复盖所述闪烁体的表面，尤其是，所述的外壳是非常薄的(＜0.1g/cm²)，由低原子数元素(Z＜10)，例如铍，铝或塑料做成。

16、根据权利要求10的装置，其中所述的探测器组件放置在其屏蔽内，该屏蔽至少一个部件是由非常高原子数的金属(Z＞61)制作，尤其是，所述的高原子数材料是铅，钨或汞。

17、根据权利要求6的装置，其中所述的探测器组件放置在由具有低原子数(Z＜20)，中间原子数(21＜Z＜60)和高原子数(Z＞61)的相继材料层组成的屏蔽内，高原子数层是最外层。

18、根据权利要求17的装置，其中所述的具有低和中原子数的材料是高纯度的铜(Cu)和锡(Sn)。

19、根据权利要求6的装置，其中吸收大量X射线的间隔放置在所述的二个独立的γ/X射线探测器之间，其中所述的间隔物是由厚度大于2mm的高原子数材料(Z＞61)层组成。

20、根据权利要求6的装置，其中所述的权利要求19中的间隔物被包覆在具有中原子数和低原子数的材料层的两表面上，还包含其中所述的低和中原子数材料分别是Cu和Sn的情况。

21、根据权利要求19的装置，其中所述的间隔物有一个锥形孔，孔中放置样品。

22、根据权利要求19的装置，其中所述的间隔物由二部件组成，所使用的样品架包括一个窄的带有球面端部的微毛细管，中孔的端头，可容纳0.1毫升的液体。

23、根据权利要求19的装置，其中如权利要求22所述的样品架是由低原子数(Z＜10)和低放射性本底，例如塑料，锂或铍材料制作。

24、根据权利要求19的装置，其中所述的间隔物有多个依次的锥形孔，形成一种易识别的图形，其中欲研究的样品放在所述的孔内。