[发明专利]双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列

权利要求书

1.一种动态随机存取存储(DRAM)器件，包括：

一个具有第一种导电类型的第一区域的半导体衬底；

至少一个动态存储单元阵列，每个单元包括一个与存储电容器相耦连的存取晶体管，每个存储单元的晶体管形成在所说的半导体衬底的一个第二区域内，每个存取晶体管具有一控制电极、一数据线接触区，一存储节点和一沟道区域；以及

形成于所说的衬底中多个沟槽内的多个信号存储电容器，每个电容器包括一个信号存储节点和一个由介质绝缘体分开的基准电压节点，该基准节点同所说的衬底相连接，每个电容器的存储节点同所说的存取晶体管之一相对应的存储节点相连接；

其特征在于还包括：

用于将所说的一个阵列内的存取晶体管的全部沟道区域同所说的衬底的第一区域在结构上和在电学上隔离的装置，所说的装置包括一个其导电类型同所说的第一区域相反的第三区域，所说的第三区域形成于所说的第一区域和第二区域之间，所说的第三区域贯穿所有的所述沟槽；以及

用于使所说衬底的第一、第二和第三区域偏置在第一、第二和第三不同的基准电压的装置。

2.权利要求1所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，信号存储电容器包括一个位于每个沟槽顶部的隔离层，其厚度大于所说沟槽底的厚度。

3.权利要求2所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，所说的沟槽内隔离层的较厚部分向下至少延展到所说的第三区域顶部平面。

4.权利要求3所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，所说的沟槽内隔离层的较厚部分向下至少延展到所说的第三区域底部平面。

5.权利要求1所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，第三区域的掺杂浓度随着离开衬底表面的深度而变化。

6.权利要求2所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，所说的第一区域的杂质类型是P型。

7.权利要求3所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，所说的第一区域的掺杂剂杂质是硼，第三区域内的掺杂剂杂质是N型的。

8.按照权利要求4所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，存取晶体管是N沟道FET器件。