[其他]硅片无蜡抛光垫

说明书

本实用新型属于电子材料抛光装置。

硅片是半导体器件、集成电路的基础材料。对硅片表面进行抛光的好坏，直接影响硅片表面的质量，表面无损的硅片，是提高半导体器件和大规模集成电路成品率的重要一环。

对硅片表面进行抛光的第一步，是先将磨好的硅片进行清洗，再用1：1的松香和川蜡的混合蜡液将硅片粘贴在陶瓷或钢制成的压块上，压块再将其紧紧地压在抛光盘上进行抛光。这种压块，就是通常所说的抛光砣（铊）。它自五十年代初一直沿用至今。

由上所述，将清洗好的硅片粘贴在抛光砣（铊）上时，必须采用蜡液。蜡液冷却后形成蜡膜。而蜡膜中的不均匀性将直接反应到硅片的抛光表面上。造成蜡膜中不均匀性的因素有：气泡、空隙、蜡膜中的颗粒状杂质。而抛光砣（铊）上的凸起或凹坑、因粘片技术不佳造成蜡膜厚度不一，也会影响硅片表面的抛光质量。

随着电子技术的迅速发展，以及大规模集成电路的集成化程度越来越高，对半导体器件的要求也愈加严格。目前对硅片总厚度的变化（T、T、V）的要求是小于6μm。而采用传统的抛光砣（铊）进行抛光时，其总厚度变化最佳也只能达到12μm。

本实用新型的目的是设计一种使硅片总厚度变化小于6μm、制造工艺简单、成本低的抛光垫。

本实用新型的结构可结合图1、图2加以说明。

这是一种圆形的由七层树脂材料组成的层状复合结构，由上到下是：第一层镶嵌层（1），其上可根据需要沿圆周开有若干个等直径的圆孔（8）；第二层、第四层均是粘接层（2）、（4）；第三层是吸附层（3）；第五层是衬底层（5）；第六层是粘贴层（6）；第七层是隔离层（7）。

第一层镶嵌层（1）是一种环氧玻璃钢模板；第三层吸附层（3）是一种聚氨酯吸附膜；第五层衬底层（5）为涤纶片基。

在第一层镶嵌层（1）上，沿圆周开有若干个圆孔，对硅片起到镶嵌作用。由于它是一种环氧玻璃钢模板，所以具有耐磨的性能。第二层粘接层（2）将第一层镶嵌层（1）与第三层吸附层（3）粘接在一起；第四层粘接层（4）则将第三层吸附层（3）与第五层衬底层（5）粘接在一起。由于吸附层（3）是一种聚氨酯吸附膜，其内部有许多指形连续微孔，直通到表面。当硅片用水粘贴在圆孔（8）内的吸附层（1）表面上时，由于聚氨树吸附膜受到外界压力，而导致其内部的指形连续微孔受压缩，而将气体从微孔内部排出。这样，硅片与吸附层（3）之间形成局部真空状态，从而使硅片受到吸附作用。此外，水表面张力与聚氨酯吸附膜本身的低分子聚合物的粘附能力，对硅片也有一定的吸附作用。第五层涤纶片基作衬底用，可使抛光垫挺实，对整个抛光垫起固定和支承作用。并使硅片紧密地压在抛光盘上，提高硅片的抛光质量。涤纶片基下面的第六层粘贴层（6）是一种压敏胶纸，能很方便地将抛光垫迅速而准确地粘贴在抛光砣（铊）上。隔离层（7）是在纸基上涂有一层有机硅涂料，对粘贴层（6）起保护与隔离作用。将其从粘贴层（6）去掉后，即可使用。

本实用新型具有如下优点：

1、由于不使用蜡液，使硅片总厚度变化达到6μm以下，从而提高硅片的质量和成品率，使总厚度变化、弯曲度达到电子工业部部颁标准的SJ2439－84C档标准；

2、可以提高抛光温度，因而提高了抛光速率；

3、由于是无蜡抛光，可以加大压强，缩短抛光时间；

4、使抛光液流量缩小至20～80毫升／分，这样可以调节内、外圈抛光速率的差别，从而能够克服内、外圈的硅片总厚度变化不均匀的难题；

5、抛光工艺简单、节约劳力、成本低。

图1为本实用新型主视图。

在第一层镶嵌层（1）上沿圆周开有若干个圆孔（8）。

图2为图1中所示位置的A向视图。

该图为本实用新型七层复合结构示意图。各层厚度分别为：第一层300～400μm，最佳为350μm；第二层40～60μm；第三层310～360μm；第四层40～60μm；第五层100～140μm；第六层100～140μm；第七层90～120μm。

第二层、第四层均是一种热溶胶层；第六层粘贴层（6）是一种在桑树皮纸两面均涂有丙烯酸的压敏胶纸。

图3为本实用新型直径为120mm的主视图。

镶嵌层（1）上沿圆周开有8个φ30mm的圆孔。

图4为本实用新型直径为305mm的主视图。

镶嵌层（1）上沿圆周开有13个φ51mm的圆孔。

图5为本实用新型直径仍为305mm的主视图。

此时镶嵌层（1）沿圆周开有19个φ51mm的圆孔。