[其他]硅片无蜡抛光垫无效
| 申请号： | 87202507 | 申请日： | 1987-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN87202507U | 公开（公告）日： | 1988-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王贵臻;萧耀民;崔世伟;徐茂林;崔玉英 | 申请（专利权）人： | 天津市半导体技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 天津市专利事务所 | 代理人： | 郑永康 |
| 地址： | 天津市成都*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅片抛光用的无蜡抛光垫，其特征在于这是一种由七个层状物组成的复合结构，从上到下依次是：第一层是镶嵌层(1)，其上沿圆周分布有若干个圆孔(8)；第二层是粘接层(2)；第三层是吸附层(3)；第四层是粘接层(4)；第五层是衬底层(5)；第六层是粘贴层(6)；第七层是隔离层(7)。
2、根据权利要求1所述的硅片无蜡抛光垫，其特征在于所述的镶嵌层（1）的厚度为300～400μm。
3、根据权利要求1所述的硅片无蜡抛光垫，其特征在于所述的第二层、第四层粘接层（2）、（4）的厚度均为40～60μm。
4、根据权利要求1所述的硅片无蜡抛光垫，其特征在于所述的吸附层（3）厚度为310～360μm。
5、根据权利要求1所述的硅片无蜡抛光垫，其特征在于所述的衬底层（5）厚度为100～140μm。
6、根据权利要求1所述的硅片无蜡抛光垫，其特征在于所述的粘贴层（6）厚度为100～140μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
