[其他]微电子线路用陶瓷基片的制作方法无效
| 申请号： | 86102992 | 申请日： | 1986-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1005369B | 公开（公告）日： | 1989-10-04 |
| 发明（设计）人： | 户田尧三;黑木桥;石原昌作;谏田尚哉;藤田毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 萧**昌 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 线路 陶瓷 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种生产陶瓷基片的工艺过程，其特征在于包括下列工序：
由重量比70至85%的莫来石陶瓷和30至15%的助烧结剂组成的混合物制作坯片，助烧结剂由重量比60至95%的SiO2，4至30%的Al2O3和1至10%的MgO构成的;
用具有高熔点金属的导体膏在坯片上印制线路图形;
在1550至1770℃条件下，把做出的片子放在还原气氛中烧结，
2、一种生产陶瓷基片工艺过程，其特征在于包括下列工序：
由重量比70至85%的莫来石陶瓷和30至15%的助烧结剂组成的混合物制作坯片，助烧结剂由重量比60至95%的SiO2，4至30%的Al2O3和1至10%的MgO构成的;
在坯片上制作孔眼;
用具有高熔点金属的导体膏在坯片上印刷线路图形;
用上述的导体膏填入孔眼;
叠加若干个做好的坯片，形成一个迭层;
在1550至1770℃条件下，把迭层放在还原气氛中烧结。
3、按照权利要求1生产陶瓷基片的工艺过程，其特征在于上述的高熔点金属是钨或钼。
4、按照权利要求2生产陶瓷基片的工艺过程，其特征在于所说的高熔点金属是钨或钼。
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