[其他]镁-铝-磷-硅-氧化物分子筛组合物

权利要求书

1、具有三维微孔的MgO₂，AlO₂，PO₂和ShO₂的四面体单元骨架结构的晶体分子筛，并具有下列化学式所示的无水的经验化学组合物：

mR∶(Mg_wAl_xP_ySi_z)O₂

式中“R”表示存在于晶体内微孔道中的至少一个有机模板剂；“m”表示式中所代表每摩尔(Mg_wAl_xP_ySi_z)O₂的“R”的摩尔数，其值是从零至约0.3；而“W”，“X”，“Y”和“Z”分别表示存在于四面体氧化物中的镁，铝，磷和硅的摩尔份数，所说的摩尔份数值处于附图1中点A，B，C，D和E所限定的五角形成分区内。

2、由权利要求1的结晶分子筛，其中的镁，铝，磷和硅的摩尔分数是处于由图2中点a，b，c和d所限定的四角形成分区内。

3、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格A中所示的晶面间距。

4、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格B中所示的晶面间距。

5、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格C中所示的晶面间距。

6、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格D中所示的晶面间距。

7、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格E中所示的晶面间距。

8、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格F中所示的晶面间距。

9、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格G中所示的晶面间距。

10、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格H中所示的晶面间距。

11、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格J中所示的晶面间距。

12、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格K中所示的晶面间距。

13、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格L中所示的晶面间距。

14、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格M中所示的晶面间距。

15、由权利要求1或2的结晶分子筛，其中具有一个特有的X射线粉末衍射花样，该花样至少包括表格N中所示的晶面间距。

16、由权利要求1的具有三维微孔骨架结构的结晶分子筛的制备方法，其中包括在有效的反应条件下提供一个由下列化学式所示的反应混合组合物：

aR∶（Mg_wAl_xP_ySi_z）∶6H₂O

式中“R”是一个有机模板剂;“a”是“R”的有效量;“b”的值是从零直至约500;而“W”，“X”，“Y”和“Z”分别表示在（Mg_wAl_xP_ySi_z）O₂组成物中的镁，铝，磷和硅的摩尔分数，其值各至少是0.01，由此制备出由权利要求的分子筛。

17、由权利要求16的方法，其中“W”，“X”，“Y”和“Z”是处于由图3中点F，G，H，I和J所限定的五角形成分区内。

18、由权利要求16的方法，其中反应混合物中的磷的反应活性源是正磷酸。