[其他]变折射率薄膜的单源真空沉积法无效
| 申请号： | 85100569 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100569B | 公开（公告）日： | 1988-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庞叔鸣 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/00 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,柯景凤 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率 薄膜 真空 沉积 | ||
1、一种由两种镀膜材料制成混合膜料，采用单个电子束蒸发源的变折射率薄膜制备方法，其特征在于：混合膜料是由满足真空蒸发条件的不同折射率和熔点的镀膜材料混合、热压成柱体块料，电子束沿柱体轴向由上向下的路径对柱体块料进行定域加热蒸发，在基底上沉积形成变折射率薄膜。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所说的镀膜材料可以是满足真空蒸发条件的金属氧化物、稀土氧化物、少数硫化物和氟化物。
3、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的熔点差值范围为500度～1000度。（℃）
4、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的混合比为1∶1～1∶0.5。
5、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的混合比为1∶1～1∶0.5。
6、根据权利要求1或2或5所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
7、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
8、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
9、根据权利要求1、2、5、7或8所述的方法，其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
10、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：电子束的束截为4-8（mm）2。
11、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
12、根据权利要求6所述的方法。其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
