[其他]台面半导体器件玻璃钝化工艺无效
| 申请号： | 85100410 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100410B | 公开（公告）日： | 1987-08-19 |
| 发明（设计）人： | 薛成山;赵富贤;田淑芬;刘瑞兰;庄惠照 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 李荣升 |
| 地址： | 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台面 半导体器件 玻璃 钝化 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种台面半导体器件玻璃钝化工艺过程，其中 包括：形成台阶状PN结台面沟槽，利用电泳法在 PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在烧结炉内熔烧玻 璃形成玻璃钝化层，其特征在于所说的电泳法涂敷玻 璃粉时电泳液内加克分子浓度为1×10-2～ 5×10-8的硝酸铝电解质，所说的熔烧玻璃时烧结炉 内通入高纯度氧气。
2.根据权利要求1所说的玻璃钝化工艺过程，其 特征在于所说的熔烧玻璃时向烧结炉内通入氧气的 流量，控制在0.1升/分至1升/分的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
