[实用新型]一种金刚石生长用进气机构及设有该进气机构的设备

说明书

本实用新型提供一种金刚石生长用进气机构及设有该进气机构的设备，包括腔体、水冷台和基片台，其特征在于，包括配制在所述腔体顶部的盖体，其构置有用于气体流通的管道，所述管道绕设于所述盖体的中轴线配制；在所述管道的最低面上分布有若干气孔，气体进入所述管道中后再经不同位置的所述气孔进入腔体中。本实用新型一种金刚石生长用进气机构，结构简单且易于加工，有助于生长气体充分且均匀地充满生长腔中，提高生长气体被微波激发电离产生等离子体的利用率，促进金刚石晶体生长的一致性。

技术领域

本实用新型属于等离子气相沉积加工技术领域，尤其是涉及一种金刚石生长用进气机构及设有该进气机构的设备。

背景技术

现有MPCVD(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition，微波等离子体化学气相沉积)设备生产金刚石过程中，进气系统直接影响生长气体等离子化的效果。常规的设法是直接在壳体的顶部中心位置进气，直吹至基片台上。但这种结构的气流使得生长气体无法均匀地分布在腔体中，导致在腔室内无法均匀地充满腔体的空间中，使得金刚石生长的一致性较差。这种结构亦无法有效地利用生长气体被微波激发电离产生等离子体，生长气体利用率低，使得金刚石籽晶的生长速率较慢，直接影响金刚石的产品质量。

发明内容

本实用新型提供一种金刚石生长用进气机构及设有该进气机构的设备，解决了现有技术中直接在腔体顶部中心设置进气口而导致生长气体无法均匀地分布在腔体中的技术问题。

为解决至少一个上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种金刚石生长用进气机构，包括腔体、水冷台和基片台，包括配制在所述腔体顶部的盖体，其构置有用于气体流通的管道，所述管道绕设于所述盖体的中轴线配制；

在所述管道的最低面上分布有若干气孔，气体进入所述管道中后再经不同位置的所述气孔进入腔体中。

进一步的，所述管道被构造为环形结构，其构置在所述盖体的上端面上，并在其顶部设有与其相适配的密封帽。

进一步的，所述气孔的轴线与所述管道的横截面中线重叠构置；且所述气孔均匀地布置在所述管道的周缘。

进一步的，所述气孔的轴线垂直于所述盖体的上端面设置。

进一步的，所述气孔的轴线与所述盖体的上端面交叉设置；

所有所述气孔的轴线的延长线相交于所述腔体轴线上的同一点，且位于所述基片台的上方。

进一步的，所述气孔的轴线与所述盖体的上端面的夹角为锐角；

优选地，所述夹角为45°。

进一步的，所述盖体被构造为圆台体结构，在所述盖体的侧壁面上还设有与外置的储备气源连通的进气口，所述进气口与所述管道连通。

进一步的，所述进气口分置于所述管道任意直径的两端；所述进气口为阶梯式通孔槽结构；所述进气口与所述管道的连通点在所述管道中靠近所述气孔的一端设置。

进一步的，在所述腔体的下端面还构置有若干出气孔，所述出气孔均置于同一个圆周上；且所述出气孔所在的圆的直径大于所述水冷台的直径。

一种金刚石生长设备，设置有如上任一项所述的进气机构。

采用本实用新型设计的一种金刚石生长用进气机构及设有该进气机构的设备，尤其是用于MPCVD设备中，结构简单且易于加工，有助于生长气体充分且均匀地充满生长腔中，提高生长气体被微波激发电离产生等离子体的利用率，促进金刚石晶体生长的一致性。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的进气机构的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例的盖体的俯视图；