[实用新型]一种晶圆

说明书

本实用新型提供一种晶圆。晶圆的表面设有一贯穿通道；贯穿通道从晶圆的第一表面贯通至晶圆的第二表面，且沿晶圆的厚度方向设有第一通道和第二通道；其中，第一通道的横截面为矩形或梯形；自第一通道至所述第二表面，第二通道的横截面为等宽或由窄变宽的形状。本实用新型晶圆的通道的边缘形貌整齐，器件性能稳定，也可降低成本。

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆。

背景技术

喷墨打印芯片需要有一个或多个进墨通道(slot)。传统制备slot的方法包括：干法刻蚀、湿法刻蚀和喷砂等。其中，干法刻蚀的成本较高，湿法刻蚀会造成单张晶圆(wafer)上的有效晶片(die)数量降低而使成本上升，喷砂会造成边缘粗糙、器件性能不可靠。

实用新型内容

为了克服现有技术中单位晶圆上有效晶片数量较低、边缘粗糙而造成的器件性能不可靠的问题，而提供了一种晶圆。本实用新型晶圆的通道的边缘形貌整齐，器件性能稳定，也可降低成本。

本实用新型提供了一种晶圆，所述晶圆的表面设有一贯穿通道；

所述贯穿通道从所述晶圆的第一表面贯通至所述晶圆的第二表面，且沿所述晶圆的厚度方向设有第一通道和第二通道；其中，

所述第一通道的横截面为矩形或梯形；

自所述第一通道至所述第二表面，所述第二通道的横截面为等宽或由窄变宽的形状。

本实用新型中，较佳地，所述梯形的下底边设于所述晶圆的第一表面上。

其中，较佳地，所述梯形的腰与所述第一表面的夹角为40～70°，更佳地为54.74°。在该特定的夹角范围内或是特定的夹角，才能以湿法工艺形成该第一通道。

本实用新型中，较佳地，所述第二通道的横截面呈抛物线状或方形状。

其中，较佳地，所述抛物线状的下宽度为500μm，所述抛物线状的下宽度可根据不同的器件要求和不同喷砂工艺的特性而调整，无特别限制。

本实用新型中，较佳地，所述贯穿通道沿所述晶圆的厚度方向还包括一过渡区，所述过渡区位于所述第一通道和所述第二通道之间。该过渡区为两种工艺的交界区域，其形状难以控制。

本实用新型中，较佳地，所述晶圆为2寸晶圆、4寸晶圆、6寸晶圆、8寸晶圆或12寸晶圆。

其中，较佳地，当晶圆为2寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为275μm。

其中，较佳地，当晶圆为4寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为525μm。

其中，较佳地，当晶圆为6寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为675μm。

其中，较佳地，当晶圆为8寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为725μm。

其中，较佳地，当晶圆为12寸晶圆时，所述贯穿通道的高度a为775μm。

本实用新型中，较佳地，在所述晶圆的厚度方向上，所述第一通道的高度记为a1，所述小于所述第二通道的高度记为a2；所述a1小于a2。

其中，较佳地，当晶圆为6寸晶圆时，所述a1小于150μm，但不为0。

其中，较佳地，当晶圆为6寸晶圆时，所述a2为525～675μm，但不为525μm或675μm。

本实用新型中，所述晶圆为本领域常规晶圆，呈薄片状，例如单晶硅片。由于单晶硅片是各向异性的，即每个方向上的性质不同，本领域技术人员知晓沿(100)晶向贯穿所述晶圆，即所述贯穿通道沿(100)晶向贯穿晶圆片。

本实用新型中，较佳地，所述贯穿通道沿所述晶圆表面的长度为0.33英寸或0.5英寸。所述贯穿通道的宽度按照本领域常规需求，无特别限制。