[实用新型]一种测量系统有效
| 申请号: | 202320117772.8 | 申请日: | 2023-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN219455041U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 刘坚;吴卓骅;尹韶辉;王辰;张桢巍 | 申请(专利权)人: | 无锡市锡山区半导体先进制造创新中心;江苏优普纳科技有限公司 |
| 主分类号: | G01B21/20 | 分类号: | G01B21/20;H01L21/66;B24B37/34;B24B49/00;B24B49/12;G01B21/30 |
| 代理公司: | 北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 | 代理人: | 高芮;赵爱军 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 测量 系统 | ||
本实用新型公开了一种测量系统,涉及测量技术领域,该测量系统用于测量待测晶圆,包括:形状误差测量模块;粗糙度测量模块,布置在所述形状误差测量模块的一侧;竖直布置的第一滑台,所述第一滑台与所述形状误差测量模块固定连接,适于驱动所述形状误差测量模块竖直运动,以便调节所述形状误差测量模块的高度;水平布置的第二滑台,适于驱动所述待测晶圆水平运动至形状误差测量模块的测量范围内,以便对所述待测晶圆进行形状误差测量;并适于驱动所述待测晶圆水平运动至所述粗糙度测量模块的测量范围内,以便对所述待测晶圆进行表面粗糙度测量。根据本实用新型的技术方案,实现了对待测晶圆进行非接触式测量,提高了测量效率。
技术领域
本实用新型涉及测量技术领域,尤其涉及一种非接触式的测量系统。
背景技术
在对碳化硅晶圆进行研磨工艺后,需要对其全场厚度变化、晶圆间厚度变化以及表面粗糙度进行测量。对于晶圆全场厚度变化的测量,目前通常采用分立点式测量方法,即,在碳化硅晶圆中心点以及距晶圆边缘6mm圆周上的对称的4个位置点测量晶圆厚度。其中两点位于与晶圆主参考面垂直平分线的逆时针方向夹角为30°的直径上,另外两个点位于与该直径相垂直的另一直径上。在对上述5个点进行厚度测量得到的5个测量值中,最大厚度与最小厚度的差值即为晶圆全场厚度变化值,对前后相继研磨出的两片晶圆分别测量出的全场厚度变化值之间的差值,即为晶圆间厚度变化值。
现有的晶圆测量装置,无法在不取下工件的情况下完成晶圆全场厚度变化、晶圆间厚度变化以及表面粗糙度测量,人工取下工件的过程容易造成晶圆损坏,且费时,从而影响工作效率。
为此,需要一种对晶圆进行非接触式测量的测量系统,以解决上述技术方案中存在的问题。
实用新型内容
为此,本实用新型提供了一种测量系统,以解决或至少缓解上面存在的问题。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种测量系统,用于测量待测晶圆,包括:形状误差测量模块;粗糙度测量模块,布置在所述形状误差测量模块的一侧;竖直布置的第一滑台,所述第一滑台与所述形状误差测量模块固定连接,适于驱动所述形状误差测量模块竖直运动,以便调节所述形状误差测量模块的高度;水平布置的第二滑台,适于驱动所述待测晶圆水平运动至形状误差测量模块的测量范围内,以便对所述待测晶圆进行形状误差测量;并适于驱动所述待测晶圆水平运动至所述粗糙度测量模块的测量范围内,以便对所述待测晶圆进行表面粗糙度测量。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,所述第二滑台上设有载物台,所述载物台上适于放置所述待测晶圆;所述形状误差测量模块适于对所述载物台进行分立点式高度测量,得到第一测量点数据,并适于对所述载物台上的待测晶圆进行分立点式高度测量,得到第二测量点数据,以便根据所述第二测量点数据与所述第一测量点数据的差值来确定所述待测晶圆的全场厚度变化值。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,还包括安装架;所述第一滑台、粗糙度测量模块竖直安装于所述安装架;所述形状误差测量模块竖直安装于所述第一滑台;所述第二滑台水平安装于所述安装架。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,所述形状误差测量模块包括:连接板,与所述第一滑台固定连接;两个支撑座,垂直固定于所述连接板;光谱共焦传感器,穿设于两个支撑座,以便通过所述两个支撑座平行固定于所述连接板。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,所述两个支撑座上固定设有两根笼杆,两根笼杆平行于所述光谱共焦传感器,以便锁紧所述光谱共焦传感器。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,所述光谱共焦传感器与每个所述支撑座之间设有转接环。
可选地,在根据本实用新型的测量系统中,所述安装架包括:光学底座;多个立柱,通过抱闸锁紧固定块与所述光学底座垂直连接;光学背板,通过转接器与所述立柱垂直连接;其中,所述第一滑台、粗糙度测量模块竖直安装在所述光学背板上;所述第二滑台水平安装在所述光学底座上。
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