[发明专利]钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃及其制备工艺

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃，其特征在于：包括玻璃基板，以及依次沉积在玻璃基板上的底膜层、功能层、钝化层和AR减反层；所述底膜层厚度为55-100nm，功能层单层厚度为300-1000nm，钝化层单层厚度为5-10nm，AR减反层厚度为100-200nm；

所述底膜层为ZnO膜层、SnO₂膜层、TiO₂-SiO_xC_y膜层、SiO₂-SiN_xC_y膜层、In₂O₃-ZnO膜层、In₂O₃-ZnO膜层、In₂O₃-Mo膜层、In₂O₃:Ga膜层、In₂O₃:W膜层、In₂O₃:Zr膜层、In₂O₃:Nb膜层中的一种或多种组合；其中，x的取值范围为1-3，y的取值范围为1-3，x+y=4；

所述功能层为氟掺杂氧化锡膜层；

所述钝化层为SiO_xC_y膜层，其中，x的取值范围为1-3，y的取值范围为1-3，x+y=4；

所述AR减反层为ZrO₂膜层、TiO₂膜层、ZnS膜层、SiO₂膜层、SiC膜层中的一种或多种组合。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基板为厚度2.1-3.2mm的超白浮法玻璃。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃，其特征在于：所述功能层和钝化层均为1-3层。

4.一种权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）根据底膜层材质，采用金属氧化物或类金属氧化物源、氧源、惰性气体的前质体气体混合物，以氮气为载体，通过化学气相沉积法在玻璃基板表面上形成底膜层，操作温度为625-705℃；

（2）采用含有锡源、掺杂剂、烷烃、氧源、惰性气体的前质体气体混合物，以氮气为载体，通过化学气相沉积法在底膜层表面上形成氟掺杂氧化锡膜层，即功能层，操作温度为540-620℃；

（3）采用含有甲硅烷、乙烯、氧源、惰性气体的前质体气体混合物，以氮气为载体，通过化学气相沉积法在氧化锡膜层表面上形成SiO_xC_y膜层，即钝化层，操作温度为635-695℃；

（4）据AR减反层材质，采用含有金属氧化物源、氧源、惰性气体的前质体气体混合物，以氮气为载体，通过化学气相沉积法在钝化层表面上形成AR减反层，操作温度为350-540℃。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃的制备工艺，其特征在于：所述氧源为氧气、空气中的一种。

6.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃的制备工艺，其特征在于：所述惰性气体为氦气、氩气中的一种。

7.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃的制备工艺，其特征在于：步骤（1）中，前质体气体混合物中，所述金属氧化物或类金属氧化物源选自以下物质的一种：二甲基锌，钛酸四丁酯、甲硅烷和氨气的混合物，甲硅烷和氨气的混合物，乙基锌和三丁氧基铟混合物，乙酰乙酸铟和ZrCl₄混合物；

金属氧化物或类金属氧化物源、氧源、惰性气体的前质体气体混合物体积百分比为：2-5%、18-40%、55-80%。