[发明专利]气压膜压接装置在审
申请号: | 202310885939.X | 申请日: | 2023-07-19 |
公开(公告)号: | CN116631917A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 戚国强;刘元;王尧;杨友志;蒋士杰;袁云霞;刘泸 | 申请(专利权)人: | 江苏快克芯装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213100 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气压 膜压接 装置 | ||
本发明涉及芯片烧结技术领域,尤其是一种气压膜压接装置,包括第一模块、隔离膜和第二模块,隔离膜位于第一模块与第二模块之间,其利用第一模块和第二模块夹紧隔离膜而分别形成施压腔和烧结腔,由于高压气路系统向烧结腔内通入施压气体时,烧结腔内产品靠近隔离膜的一侧表面均会与隔离膜接触,隔离膜会对与其接触的产品的表面施加均匀的压力,从而实现同时对多个产品进行加压烧结,并且烧结腔内的产品两两之间可小间隙放置,不受位置约束,对不同规格的芯片适用性强,且结构紧凑;保护气路系统还可以防止高压气路系统的高压气体向保护气路系统的低压管路扩散,从而起到保护作用。
技术领域
本发明涉及芯片烧结技术领域,尤其是一种气压膜压接装置。
背景技术
目前, CN105247671A所公开的一种半导体晶粒封装或载体装载方法及CN114899116A所公开的一种多压杆烧结装置及烧结方法等专利中均采用的是通过类似活塞技术对芯片进行加压烧结,对于现有芯片烧结技术和工艺而言,烧结时基板上每个芯片的受力一致性是关键因素;通过类似活塞技术的可移动压杆在芯片间距较大时候可以满足工况(前提是每个活塞杆的摩擦力要接近,并且配合间隙要一致,否则导致温度偏差大);但是当两两芯片间隔很小时,上模具的活塞杆排布和加工生产就受到限制,且芯片的摆放位置也受到了约束(需要与活塞杆对齐)。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:为了解决现有技术中采用类似活塞技术对芯片进行加压烧结的装置其芯片摆放位置受到约束以及无法适用两两芯片间隔很小的烧结场景,影响烧结产能的问题,现提供一种气压膜压接装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种气压膜压接装置,包括第一模块、隔离膜和第二模块,所述隔离膜位于第一模块与第二模块之间;
所述第一模块具有第一模板,所述第一模板靠近隔离膜的一侧设置有开口朝隔离膜的凹槽;所述第一模块和第二模块被配置成可相对靠拢而夹紧隔离膜,使得凹槽与隔离膜之间形成施压腔,第二模块与隔离膜之间形成可放置多个产品的烧结腔;
所述施压腔用于和高压气路系统连接,所述高压气路系统被配置成向施压腔通入施压气体,使隔离膜朝向烧结腔内的产品移动而对各个产品施加压力;
所述烧结腔用于和保护气路系统连接,所述烧结腔具有与其连通的进气道和出气道,所述保护气路系统与烧结腔的进气道和出气道连通;所述保护气路系统还被配置为施压腔内的气体因隔离膜破损而进入烧结腔内时,保护气路系统断开与烧结腔的连通。
进一步地,所述第一模板靠近隔离膜的一侧凸出有围绕凹槽外周边缘的成闭合结构的凸缘,所述凸缘用于压紧隔离膜而形成施压腔和烧结腔。
进一步地,所述保护气路系统包括送气管路、出气管路、进气开关阀、出气开关阀及压力传感器;
所述送气管路的入口用于连接提供保护气体的保护气源,送气管路的出口通过进气开关阀与烧结腔的进气道连通;压力传感器用于检测施压腔内部的气压值;所述烧结腔的出气道通过出气开关阀和出气管路的入口连通,出气管路的出口用于连接抽真空机构;
所述进气开关阀和出气开关阀均被配置为在压力传感器所检测的施压腔内部的气压值低于阈值时而关闭。
进一步地,所述高压气路系统包括驱动管路、第一调压阀、气体增压器、施压管路和第一排气阀;
所述第一调压阀串联在驱动管路上,驱动管路的入口用于连接提供驱动气体的驱动气源,驱动管路的出口与气体增压器连通;
所述气体增压器串联在施压管路上,施压管路的入口用于连接提供施压气体的施压气源,施压管路的出口与施压腔连通;
所述驱动管路用于为气体增压器提供动力,使施压管路中流入气体增压器内的施压气体进行增压;
所述第一排气阀和施压腔连通,且第一排气阀被配置为在压力传感器检测到施压腔内部的气压值低于阈值时而打开使烧结腔泄压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造