[发明专利]气压膜压接装置在审
申请号: | 202310885939.X | 申请日: | 2023-07-19 |
公开(公告)号: | CN116631917A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 戚国强;刘元;王尧;杨友志;蒋士杰;袁云霞;刘泸 | 申请(专利权)人: | 江苏快克芯装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213100 江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气压 膜压接 装置 | ||
1.一种气压膜压接装置,其特征在于:包括第一模块(1)、隔离膜(4)和第二模块(2),所述隔离膜(4)位于第一模块(1)与第二模块(2)之间;
所述第一模块(1)具有第一模板(11),所述第一模板(11)靠近隔离膜(4)的一侧设置有开口朝隔离膜(4)的凹槽(11a);所述第一模块(1)和第二模块(2)被配置成可相对靠拢而夹紧隔离膜(4),使得凹槽(11a)与隔离膜(4)之间形成施压腔(5),第二模块(2)与隔离膜(4)之间形成可放置多个产品(61)的烧结腔(6);
所述施压腔(5)用于和高压气路系统(7)连接,所述高压气路系统(7)被配置成向施压腔(5)通入施压气体,使隔离膜(4)朝向烧结腔(6)内的产品(61)移动而对各个产品(61)施加压力;
所述烧结腔(6)用于和保护气路系统(8)连接,所述烧结腔(6)具有与其连通的进气道(211)和出气道(212),所述保护气路系统(8)与烧结腔(6)的进气道(211)和出气道(212)连通;
所述保护气路系统(8)还被配置为施压腔(5)内的气体因隔离膜(4)破损而进入烧结腔(6)内时,保护气路系统(8)断开与烧结腔(6)的连通。
2.根据权利要求1所述的气压膜压接装置,其特征在于:所述第一模板(11)靠近隔离膜(4)的一侧凸出有围绕凹槽(11a)外周边缘的成闭合结构的凸缘(11b),所述凸缘(11b)用于压紧隔离膜(4)而形成施压腔(5)和烧结腔(6)。
3.根据权利要求1所述的气压膜压接装置,其特征在于:所述保护气路系统(8)包括送气管路(81)、出气管路(86)、进气开关阀(85)、出气开关阀(87)及压力传感器(89);
所述送气管路(81)的入口用于连接提供保护气体的保护气源,送气管路(81)的出口通过进气开关阀(85)与烧结腔(6)的进气道(211)连通;压力传感器(89)用于检测施压腔(5)内部的气压值;所述烧结腔(6)的出气道(212)通过出气开关阀(87)和出气管路(86)的入口连通,出气管路(86)的出口用于连接抽真空机构(88);
所述进气开关阀(85)和出气开关阀(87)均被配置为在压力传感器(89)所检测的施压腔(5)内部的气压值低于阈值时而关闭。
4.根据权利要求3所述的气压膜压接装置,其特征在于:所述高压气路系统(7)包括驱动管路(71)、第一调压阀(74)、气体增压器(76)、施压管路(77)和第一排气阀(715);
所述第一调压阀(74)串联在驱动管路(71)上,驱动管路(71)的入口用于连接提供驱动气体的驱动气源,驱动管路(71)的出口与气体增压器(76)连通;
所述气体增压器(76)串联在施压管路(77)上,施压管路(77)的入口用于连接提供施压气体的施压气源,施压管路(77)的出口与施压腔(5)连通;
所述驱动管路(71)用于为气体增压器(76)提供动力,使施压管路(77)中流入气体增压器(76)内的施压气体进行增压;
所述第一排气阀(715)和施压腔(5)连通,且第一排气阀(715)被配置为在压力传感器(89)检测到施压腔(5)内部的气压值低于阈值时而打开使烧结腔(6)泄压。
5.根据权利要求1所述的气压膜压接装置,其特征在于:所述第二模块(2)包括第二模板(22)和载台(21),所述第二模板(22)靠近第一模块(1)的一侧为上表面,所述载台(21)放置在第二模板(22)的上表面,所述进气道(211)和出气道(212)均位于载台(21)内,所述载台(21)的上端面具有工作面(213)及围绕在工作面(213)四周的结合面(214),所述第一模块(1)和第二模块(2)相对靠拢而夹紧时,隔离膜(4)与结合面(214)贴合,使得隔离膜(4)与工作面(213)之间形成烧结腔(6);
所述工作面(213)的高度与结合面(214)的高度齐平;或者所述工作面(213)的高度低于结合面(214)的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造