[发明专利]薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件

权利要求书

1.一种透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm²/V·S~170cm²/V·S，所述透明导电氧化物薄膜的材料为过渡金属掺杂的氧化铟材料，其中，过渡金属包括锡、钨、铈、钼、锆、钛、铪、锌以及锰中的一种或几种。

2.一种权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；以及

在所述衬底上沉积透明导电氧化物薄膜，其中，在沉积时通入的工艺气体中含有氢气以及氧气，氢气在所述工艺气体中的体积比例为0.5%~5%，氧气在所述工艺气体中的体积比例为10%~25%，所述的透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm²/V·S~170cm²/V·S。

3.根据权利要求2所述的透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于， 所述透明导电氧化物薄膜的制备方法还满足以下条件中的至少一种：

（1）在沉积时，采用反应离子沉积工艺；

（2）在沉积时，通入的工艺气体中的氢气的体积比例为0.8%~2%。

4.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括权利要求1所述的或者权利要求2~3任意一项所述的制备方法制备得到的透明导电氧化物薄膜，所述的透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm²/V·S~170cm²/V·S。

5.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括权利要求1所述的或者权利要求2~3任意一项所述的制备方法制备得到的透明导电氧化物薄膜，所述的透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm²/V·S~170cm²/V·S。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池依次包括第一电极、第一透明导电氧化物薄膜、第一掺杂导电半导体层、本征非晶硅层、硅基底、本征非晶硅层、第二掺杂导电半导体层、第二透明导电氧化物薄膜以及第二电极。

7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还满足以下条件中的至少一种：

（1）所述第一掺杂导电半导体层呈氢化非晶、氢化纳米晶、氢化微晶中的一种组成的单层结构或者几种组成的叠层结构，该叠层结构的晶化率和有效掺杂浓度均由硅基底至第一电极方向依次递增；

（2）所述第二掺杂导电半导体层呈氢化非晶、氢化纳米晶、氢化微晶中的一种组成的单层结构或者几种组成的叠层结构，该叠层结构的晶化率和有效掺杂浓度均由硅基底至第二电极方向依次递增。

8.根据权利要求5~7任意一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括减反射层，所述减反射层位于第一所述透明导电氧化物薄膜远离所述第一掺杂导电半导体层的表面上，所述减反射层包括第一氧化铝层、氮化硅层以及第二氧化铝层。

9.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供硅基底；

在所述硅基底的第一表面与第二表面分别沉积第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜，其中，在沉积所述第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜时，通入的工艺气体中含有氢气以及氧气，氢气在所述工艺气体中的体积比例为0.5%~5%，氧气在所述工艺气体中的体积比例为10%~25%，所述的第一透明导电氧化物薄膜与所述第二透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率分别为100cm²/V·S~170cm²/V·S；

在所述第一透明导电氧化物薄膜、所述第二透明导电氧化物薄膜上分别制备第一电极以及第二电极。