[发明专利]发光基板在审
| 申请号: | 202310735880.6 | 申请日: | 2023-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN116632149A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 徐智强;彭锦涛;郭凯;刘伟星;卢美荣;滕万鹏;王欢欢;闫雨薇;张春芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 | ||
公开一种发光基板,包括:设置在基层上的多个发光芯片,发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体,第二电极位于发光主体远离基层的一侧;填充层,填充层包括至少一个填充部,填充部至少位于相邻的两个发光芯片之间,填充部具有沿发光主体的周向排布的首端和尾端,填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低;第一连接电极,第一连接电极的至少部分位于基层内,第一连接电极在参考面上的正投影与发光主体在参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠,参考面为与基层厚度方向垂直的平面;辅助电极,与第二电极电连接,辅助电极的至少部分设置在填充部远离基层的表面上,且经过填充部的尾端与第一连接电极电连接。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种发光基板。
背景技术
微型无机发光二极管包括MiniLED和MicroLED,Mini LED是指晶粒尺寸在100~300微米左右的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)芯片。MicroLED则是指晶粒尺寸在100微米以下的发光二极管芯片。采用MiniLED/MicroLED显示装置,具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点。另外,可以将多个Mini-LED/Micro-LED显示装置无缝拼接,实现超大尺寸显示产品,在指挥监控中心、商业中心、高端会议、影院等大尺寸显示领域具有广阔应用前景。
发明内容
本公开提供一种发光基板,包括:
设置在基层上的多个发光芯片,所述发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体,所述第二电极位于所述发光主体远离所述基层的一侧;
填充层,所述填充层包括至少一个填充部,所述填充部至少位于相邻的两个所述发光芯片之间,所述填充部具有沿所述发光主体的周向排布的首端和尾端,所述填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低;
第一连接电极,所述第一连接电极的至少部分位于基层内,所述第一连接电极在参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠,所述参考面为与所述基层厚度方向垂直的平面;
辅助电极,与所述第二电极电连接,所述辅助电极的至少部分设置在所述填充部远离所述基层的表面上,且经过所述填充部的尾端与所述第一连接电极电连接。
在一些实施例中,所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的:第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;
所述填充层的最大厚度与所述辅助电极的厚度之和不小于所述第一半导体层的厚度,所述填充层的最大厚度不大于所述第二电极远离所述基层的表面到所述基层的最大距离。
在一些实施例中,所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的:第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;所述第一半导体层包括朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面;
所述填充结构背离所述基层的表面包括一个或多个斜面,所述斜面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。
在一些实施例中,所述第一半导体层的第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角大于或等于70°。
在一些实施例中,所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面;所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面;
其中,所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角,和/或,所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。
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