[发明专利]发光基板在审

专利信息
申请号: 202310735880.6 申请日: 2023-06-20
公开(公告)号: CN116632149A 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 徐智强;彭锦涛;郭凯;刘伟星;卢美荣;滕万鹏;王欢欢;闫雨薇;张春芳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48;H01L25/16
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 魏艳新;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光
【权利要求书】:

1.一种发光基板,其特征在于,包括:

设置在基层上的多个发光芯片,所述发光芯片包括第一电极、第二电极以及连接在二者之间的发光主体,所述第二电极位于所述发光主体远离所述基层的一侧;

填充层,所述填充层包括至少一个填充部,所述填充部至少位于相邻的两个所述发光芯片之间,所述填充部具有沿所述发光主体的周向排布的首端和尾端,所述填充部的厚度从首端到尾端逐渐降低或阶梯式降低;

第一连接电极,所述第一连接电极的至少部分位于基层内,所述第一连接电极在参考面上的正投影与所述发光主体在所述参考面上的正投影不存在交叠或不完全交叠,所述参考面为与所述基层厚度方向垂直的平面;

辅助电极,与所述第二电极电连接,所述辅助电极的至少部分设置在所述填充部远离所述基层的表面上,且经过所述填充部的尾端与所述第一连接电极电连接。

2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的:第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;

所述填充层的最大厚度与所述辅助电极的厚度之和不小于所述第一半导体层的厚度,所述填充层的最大厚度不大于所述第二电极远离所述基层的表面到所述基层的最大距离。

3.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述发光主体包括沿远离所述基层的方向依次设置的:第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;所述第一半导体层包括朝向所述基层的第一底面、背离所述基层的第一顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第一侧面;

所述填充结构背离所述基层的表面包括一个或多个斜面,所述斜面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。

4.根据权利要求3所述的发光基板,其特征在于,所述第一半导体层的第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角大于或等于70°。

5.根据权利要求3所述的发光基板,其特征在于,所述第二半导体层包括朝向所述基层的第二底面、背离所述基层的第二顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第二侧面;所述多量子阱层包括朝向所述基层的第三底面、背离所述基层的第三顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的第三侧面;

其中,所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角,和/或,所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于所述第一侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角。

6.根据权利要求5所述的发光基板,其特征在于,所述第二侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70°,和/或,所述第三侧面的延伸面与所述基层所呈的锐角小于70°。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板,其特征在于,所述发光主体被一个所述填充部所环绕,所述填充部的首端和尾端相互靠近;

或者,多个所述填充部端端靠近共同以环绕所述发光主体,其中两个所述填充部的尾部相互靠近且均与所述第一连接电极相邻。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板,其特征在于,所述填充部的长度大于或等于所述发光芯片在所述基层上的正投影周长的1/3。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板,其特征在于,所述发光主体在所述基层上的正投影为多边形,所述多边形的至少两个相邻的侧边与同一个所述填充部相邻。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的发光基板,其特征在于,所述多个发光芯片划分为多个发光组,每个所述发光组包括至少两个所述发光芯片;每个所述发光组中的发光芯片的第二电极均与一个所述第一连接电极对应连接。

11.根据权利要求10所述的发光基板,其特征在于,所述发光组中的多个发光芯片环绕所述第一连接电极设置;

同一个发光组中,多个发光芯片周围的所述填充部形成关于所述第一连接电极呈中心对称的结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310735880.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top