[发明专利]一种钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法

权利要求书

1.一种钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，通过在钙钛矿前驱液里面添加ZIF-67，来钝化所制备的钙钛矿薄膜的缺陷。

2.根据权利要求1所的钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜包括：钙钛矿本体和ZIF-67；所述钙钛矿本体为ABX₃，其中A可为甲胺阳离子MA⁺、甲眯阳离子FA⁺、铯阳离子Cs⁺，B可为铅阳离子Pb²⁺、锡阳离子Sn²⁺，X可为氯阴离子Cl^-、溴阴离子Br^-、碘阴离子I^-。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、配置钙钛矿前驱液，将AX与BX₂粉末按照摩尔比1:1混合，溶于N-N二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中，形成0.4～1.3mol/L的钙钛矿前驱液；

步骤2、配置ZIF-67掺杂的钙钛矿前驱液，将ZIF-67粉末添加到钙钛矿前驱液当中，形成掺杂浓度为0.5～8mg/ml的ZIF-67掺杂的钙钛矿前驱液；

步骤3、提供经过处理的基底；

步骤4、采用抗溶剂旋涂的方式制备ZIF-67掺杂的钙钛矿薄膜；

步骤5、70～80℃退火1～3分钟，100～120℃退火10～30分钟，得到高质量的钙钛矿薄膜。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，步骤1中，N-N二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中，N-N二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比为4:1～9:1。

5.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，步骤3中，所述的基底可为：ITO导电玻璃或FTO导电玻璃。

6.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，其特征在于，步骤3中，基底的处理步骤底包括：

步骤A1、依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水对基底进行超声清洗，去除衬底表面的油污及杂质，每次超声时间为5～8分钟；

步骤A2、氮气吹掉透明导电基底上面的水珠；

步骤A3、干燥箱60～80℃烘干；

步骤A4、等离子体或臭氧清洗10～20分钟，增加基底表面亲水性。