[发明专利]一种压电陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 202310688124.2 | 申请日: | 2023-06-09 |
公开(公告)号: | CN116606143A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 姜知水;文理;任巍;刘增辉 | 申请(专利权)人: | 广东捷成科创电子股份有限公司;西安交通大学 |
主分类号: | C04B35/499 | 分类号: | C04B35/499;C04B35/50;C04B35/622;C04B41/88;C04B35/472 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
地址: | 526020 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种压电陶瓷材料,其特征在于,所述压电陶瓷材料的通式为Pb(In1/2Nb1/2)x(Yb1/2Nb1/2)yTi1-x-yO3,0.126≤x≤0.504,0.1≤y≤0.4。
2.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷材料,其特征在于,x=0.126,y=0.4。
3.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷材料,其特征在于,所述压电陶瓷材料具有准同形相界区域,压电性能为小信号压电系数d33=151~274pC/N;大信号压电系数d33*=182~333pm/V;居里温度为Tc=315~369℃;介电损耗为tanδ=1.04%~3.79%;平面机电耦合系数kp=0.25~0.36;机械品质因数Qm=28~47;剩余极化强度Pr=14.1~20.3μC/cm2;矫顽场强Ec=12.2~18.9kV/cm;应变S=0.09%~0.13%;应变迟滞为21%~26%。
4.一种压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,通过调整铌镱酸铅和钛酸铅比例构建调控压电陶瓷准同型相界,从而实现居里温度的提高和压电性能的优化。
5.根据权利要求4所述的一种压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将Yb2O3粉体和Nb2O5粉体、In2O3粉体和Nb2O5粉体分别混合,依次进行球磨、烘干和压块,然后升温至1100~1200℃,并保温,得到YbNbO4和InNbO4前驱体;
S2、按照Pb(In1/2Nb1/2)x(Yb1/2Nb1/2)yTi1-x-yO3的化学计量分别称取YbNbO4、InNbO4、过量的PbO、TiO2,将原料混合后进行一次球磨,得到混合粉体并烘干研磨,其中0.126≤x≤0.504,0.1≤y≤0.4;
S3、将步骤S2后的混合粉体预烧,预烧结束后冷却至室温,得到预烧粉体;
S4、将步骤S3得到的预烧粉体依次进行二次球磨、烘干、研磨、造粒和过筛后得到颗粒均匀的粉体;
S5、将步骤S4得到颗粒均匀的粉体静置后压制成型,制得坯体,排除坯体中的有机物,得到陶瓷坯体;
S6、将步骤S5处理后的坯体埋入装有与陶瓷坯体组分相同的粉料的铂金坩埚中,将所述铂金坩埚装入氧化铝坩埚中,使用循环升降温法在进行烧结:由室温以3~5℃/min升至950~1000℃,然后以10~30℃/min快速升温至1050~1100度,然后以1~3℃/min缓慢降温至950~1000℃;之后循环快速升温和缓慢降温的过程,烧结2~4h;随炉自然冷却至室温,得到兼具高居里温度和小迟滞的压电陶瓷;
S7、将烧结后的压电陶瓷抛光,在陶瓷上下表面涂覆银浆,烧结银浆后自然冷却至室温;
S8、对涂覆银浆的陶瓷施加直流电场充分极化,得到压电陶瓷材料。
6.根据权利要求5所述的一种压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1、S2和S4中的球磨时的介质均为无水乙醇,且料、锆球和无水乙醇的质量比均为1:2:(0.5~1.0)。
7.根据权利要求5所述的一种压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1、S2和S4中所述烘干温度均为50℃~80℃。
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