[发明专利]铜箔及其制备方法、集流体、电极片、二次电池及用电装置

权利要求书

1.一种铜箔，其特征在于，包括：

基材；

金属镀膜，所述金属镀膜设于所述基材的至少一个表面上；

表面铜层，所述表面铜层设于所述金属镀膜远离所述基材的表面上；

其中，沿远离所述基材的方向上，所述金属镀膜包括依次层叠设置的铜合金镀膜、纯铜镀膜及铜镍镀膜；

所述铜合金镀膜通过脉冲直流电源溅射制备。

2.根据权利要求1所述的铜箔，其特征在于，所述铜合金镀膜的材质包括铜镍合金、铜锌合金及铜银合金中的一种；

可选地，所述铜合金镀膜的材质为铜镍合金，所述铜镍合金中，镍元素的质量含量为5％～15％。

3.根据权利要求1所述的铜箔，其特征在于，所述铜镍镀膜中，镍元素的质量含量为5％～15％。

4.根据权利要求1所述的铜箔，其特征在于，所述铜箔满足(1)～(6)中的至少一个条件：

(1)所述铜合金镀膜的厚度为10nm～15nm；

(2)所述纯铜镀膜的厚度为30nm～40nm；

(3)所述铜镍镀膜的厚度为15nm～20nm；

(4)所述金属镀膜的厚度为50nm～70nm；

(5)所述表面铜层的厚度为1μm～3μm；

(6)所述基材的厚度为3μm～6μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的铜箔，其特征在于，所述铜箔的方阻小于或等于23mΩ。

6.权利要求1～5任一项所述的铜箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基材的至少一个表面上溅射镀膜，制备金属镀膜；

在所述金属镀膜的表面水电镀，制备表面铜层；

其中，在所述基材的表面上，所述金属镀膜包括层叠设置的铜合金镀膜、纯铜镀膜及铜镍镀膜；

所述铜合金镀膜通过脉冲直流电源溅射制备。

7.根据权利要求6所述的铜箔的制备方法，其特征在于，所述制备金属镀膜的步骤包括：

在所述基材的至少一个表面上通过脉冲直流电源溅射制备所述铜合金镀膜；

在所述铜合金镀膜的表面上通过直流电源溅射制备所述纯铜镀膜；

在所述纯铜镀膜的表面上通过直流电源溅射制备所述铜镍镀膜。

8.根据权利要求7所述的铜箔的制备方法，其特征在于，所述制备金属镀膜的步骤满足(1)～(3)中的至少一个条件：

(1)在制备所述铜合金镀膜的步骤中，所述脉冲直流电源的电流为10A～15A，电压为350V～450V，占空比为40％～70％；

(2)在制备所述纯铜镀膜的步骤中，所述直流电源的电流为10A～20A，电压为380V～480V；

(3)在制备所述铜镍镀膜的步骤中，所述直流电源的电流为5A～12A，电压为350V～430V。

9.一种集流体，其特征在于，包括权利要求1～5所述的铜箔或者根据权利要求6～8任一项所述的铜箔的制备方法制得的铜箔。

10.一种电极片，其特征在于，包括权利要求9所述的集流体。

11.一种二次电池，其特征在于，包括权利要求10所述的电极片。

12.一种用电装置，其特征在于，包括权利要求11所述的二次电池。