[发明专利]氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法

权利要求书

1.一种氮化镓基晶体管的钝化方法，包括：

使用旋涂工艺将稀释的非晶氟树脂旋涂在氮化镓基晶体管的表面，以在所述氮化镓基晶体管的表面形成钝化层；以及

通过在依次升高的阶梯温度下在依次递增的时间内，对形成钝化层的氮化镓基晶体管进行烘烤，使所述非晶氟树脂固定于所述氮化镓基晶体管的表面。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，在执行所述旋涂工艺之前执行如下步骤：

对所述氮化镓基晶体管的表面进行清洗；

对清洗后的所述氮化镓基晶体管进行烘烤。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，所述对所述氮化镓基晶体管的表面进行清洗包括：

将所述氮化镓基晶体管的表面在丙酮、异丙酮和水中分别清洗。

4.根据权利要求2所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，在对所述对氮化镓基晶体管的表面进行清洗之后还包括：

使用氨水对清洗后的所述氮化镓基晶体管进行碱洗再水洗，以去除表面态。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，所述稀释的非晶氟树脂是通过利用含氟溶剂将所述非晶氟树脂进行稀释得到的。

6.根据权利要求5所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，所述非晶氟树脂与所述含氟溶剂的体积的配比范围为1:1～1:20。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，所述旋涂工艺在常温条件下将稀释后的所述非晶氟树脂旋涂在所述氮化镓基晶体管的表面。

8.根据权利要求1所述的氮化镓基晶体管的钝化方法，其中，对形成钝化层的所述氮化镓基晶体管在50℃的温度下烘烤5min之后在80℃的温度下烘烤30min，再在150℃的温度下烘烤60min。

9.一种氮化镓基晶体管，其中，所述氮化镓基晶体管包括：

势垒层；

帽层，所述帽层设置在所述势垒层上；

源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极设置在所述帽层上；

其中，所述帽层用于提高氮化镓基晶体管的肖特基势垒高度以降低所述栅极的漏电，钝化层覆盖在所述帽层和所述源极、漏极和栅极的远离所述势垒层的表面上，其中，所述钝化层根据权利要求1～8任一所述的氮化镓基晶体管的钝化方法制成。

10.根据权利要求9所述的氮化镓基晶体管，其中，所述帽层采用铝元素、镓元素、铟元素与氮元素组合的二元、三元或四元合金，厚度为0.1nm～5nm。