[发明专利]Micro-LED芯片及晶片

说明书

本公开涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片及晶片。包括第一衬底层，第一衬底层上依次外延生长有底部氮化镓层、多量子阱层和顶部氮化镓层；芯片上还设置有P电极和N电极，P电极用于连接电源正极，N电极用于连接电源负极第一衬底层上平行设置有多个第一凹槽，并且第一凹槽的表面覆设有导热层；还包括第二衬底层，第二衬底层朝向第一衬底层的一面平行设置有多个第二凹槽，第二凹槽上形成有微流道，微流道以用于降低芯片的热量。通过在第一衬底层上设置第一凹槽，可以增加第一衬底层的散热面积，并且通过设置第二衬底层和形成微流道，可以提高芯片机械强度，进一步地提高芯片的散热性能，最终能够低成本地解决Micro‑LED芯片的散热问题。

技术领域

本公开涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片及晶片。

背景技术

微米级发光二极管（Micro-LED）具有分辨率高、亮度高、寿命长、色域广等突出优点，逐渐在增强现实（AR）、虚拟现实（VR）、微型显示等领域中得到应用。但随着对显示质量和显示尺寸的要求不断提高，Micro-LED芯片的集成度需不断提高，意味着Micro-LED芯片的尺寸需要不断缩小，在缩小的过程中，对散热也提出了更高的要求。

Micro-LED芯片尺寸缩小后，器件密度上升，在Micro-LED芯片发光过程中产生的热量密度也会提高，对散热的需求也变得更高。Micro-LED工作过程中散发的热量，如果不能有效地散发，会让器件整体工作在一个较高的温度，从而加剧器件的老化，降低器件的寿命。GaN基的Micro-LED衬底通常为硅、碳化硅和蓝宝石，硅和蓝宝石的导热性能较差，而碳化硅的成本较高，因此通常难以保证成本与导热性能的两全。

发明内容

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种Micro-LED芯片及晶片。

本公开提供了一种Micro-LED芯片，包括第一衬底层，所述第一衬底层上依次外延生长有底部氮化镓层、多量子阱层和顶部氮化镓层；

所述芯片上还设置有P电极和N电极，所述P电极用于连接电源正极，所述N电极用于连接电源负极；

所述第一衬底层上平行设置有多个第一凹槽，并且所述第一凹槽的表面覆设有导热层；

还包括第二衬底层，所述第二衬底层朝向所述第一衬底层的一面平行设置有多个第二凹槽，所述第二凹槽上形成有微流道，所述微流道外接泵体，以用于降低所述芯片的热量。

可选地，多个所述第一凹槽相互独立设置，每个所述第一凹槽均沿所述第一衬底层的宽度方向延伸。

可选地，所述导热层的材料为PVD金属或沉积碳纳米管。

可选地，所述第一凹槽中填充有填充层，所述填充层的材料为碳材料或电镀金属。

可选地，相邻的所述第一凹槽之间的间距相同。

可选地，所述微流道的进口和出口设置于所述第二衬底层相对的两侧。

可选地，所述P电极形成于所述顶部氮化镓层上，所述N电极形成于所述底部氮化镓层上。

可选地，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度。

可选地，所述第二衬底层的高度小于所述第一衬底层的高度。

本公开还提供了一种Micro-LED晶片，包括上述的Micro-LED芯片。

本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：