[发明专利]Micro-LED芯片及晶片在审
| 申请号： | 202310579931.0 | 申请日： | 2023-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN116525746A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 温海键;马兴远;岳大川;蔡世星;李小磊;伍德民 | 申请（专利权）人： | 季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 姚金金 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | micro led 芯片 晶片 | ||
1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括第一衬底层（1），所述第一衬底层（1）上依次外延生长有底部氮化镓层（2）、多量子阱层（3）和顶部氮化镓层（4）；
所述芯片上还设置有P电极（5）和N电极（6），所述P电极（5）用于连接电源正极，所述N电极（6）用于连接电源负极；
所述第一衬底层（1）上平行设置有多个第一凹槽（11），并且所述第一凹槽（11）的表面覆设有导热层；
还包括第二衬底层（7），所述第二衬底层（7）朝向所述第一衬底层（1）的一面平行设置有多个第二凹槽（71），所述第二凹槽（71）上形成有微流道，所述微流道外接泵体，以用于降低所述芯片的热量。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，多个所述第一凹槽（11）相互独立设置，每个所述第一凹槽（11）均沿所述第一衬底层（1）的宽度方向延伸。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述导热层的材料为PVD金属或沉积碳纳米管。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第一凹槽（11）中填充有填充层，所述填充层的材料为碳材料或电镀金属。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，相邻的所述第一凹槽（11）之间的间距相同。
6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述微流道的进口和出口设置于所述第二衬底层（7）相对的两侧。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述P电极（5）形成于所述顶部氮化镓层（4）上，所述N电极（6）形成于所述底部氮化镓层（2）上。
8.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第二凹槽（71）的宽度小于所述第一凹槽（11）的宽度。
9.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第二衬底层（7）的高度小于所述第一衬底层（1）的高度。
10.一种Micro-LED晶片，其特征在于，包括权利要求1至权利要求9任一项所述的Micro-LED芯片。
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