[发明专利]一种陶瓷基板及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

（1）将陶瓷粉末成型制备生瓷片，并在生瓷片上打孔；

（2）将步骤（1）打孔后的生瓷片表面丝网印刷感光银浆，所用丝网的孔径为325~400目，所述感光银浆在黄光条件下使用，采用紫外光进行曝光，曝光所用紫外光的波长为355~375nm，所述曝光的能量为100~300mJ/cm²，再经显影后得到表面覆盖电路图形的生瓷片，所述显影为采用碱液对生瓷片进行喷射，所述喷射的压力为0.15~0.25MPa；

（3）将步骤（2）显影后的生瓷片进行叠层压合，所述叠层压合为：将至少两个生瓷片叠压在一起，所述生瓷片平行设置，电路图形的朝向一致，所述叠层压合的压力为5~30MPa；通过等静压粘接后进行烧结，所述等静压操作的温度为70~90℃，压力为20~70MPa，得到陶瓷基板；

所述陶瓷基板用于探针卡结构中。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述陶瓷粉末包括氧化铝和/或氧化硅；

步骤（1）所述成型的方式包括流延成型；

步骤（1）所述陶瓷粉末先制备成陶瓷浆料，再采用流延设备形成生瓷带，经干燥后得到生瓷片；

所述陶瓷浆料的固含量为40~60wt%；

所述生瓷片的厚度为20~200μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述打孔采用激光机进行；

步骤（1）所述打孔形成的是圆孔，所述圆孔的孔径为40~200μm；

所述孔的类型为贯穿通孔。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述曝光时，采用掩模板进行部分遮蔽，控制曝光线路。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述碱液包括碳酸钠溶液，其浓度为0.1~1wt%；

步骤（2）所述显影后进行清洗，生瓷片上未被曝光的感光银浆被清洗；

步骤（2）所述电路图形中，线宽和线距的比例为(0.5~2):1。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述等静压的保压时间为5~30min；

步骤（3）所述等静压粘接后得到的多层陶瓷片进行切割，得到所需尺寸的多层陶瓷片；

所述切割前进行预热，所述预热的温度为70~90℃；

所述预热的时间为2~5min；

所述切割采用钨钢刀片上下运动。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述烧结在烧结炉中进行；

步骤（3）所述烧结的温度为800~900℃，时间为30~60min；

步骤（3）所述烧结的升温速率为0.2~2℃/min；

步骤（3）所述烧结的气氛为空气；

步骤（3）所述烧结后随炉冷却进行降温。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的陶瓷基板。

9.根据权利要求8所述的陶瓷基板的用途，其特征在于，所述陶瓷基板用于探针卡结构中，所述探针卡用于半导体芯片的测试。