[发明专利]一种探针及其制备方法与微电子探针卡

说明书

本发明提供了一种探针及其制备方法与微电子探针卡，所述探针包括探针基体及所述探针基体上覆盖的导电金属层，所述导电金属层中的晶粒尺寸为5.5～6.5μm。本发明提供的探针的导电金属层中的晶粒尺寸较小，晶体致密性较高，导电性较强，大大提升了探针的导电性，从而提升了探针的测试精度。

技术领域

本发明属于探针技术领域，涉及一种探针，尤其涉及一种探针及其制备方法与微电子探针卡。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，集成电路制作精度越来越高，芯片的晶圆密度和数量都在极具增加，测试精度要求越来越高，对探针导电性的要求也越来越高，但是现有技术中探针的导电性无法满足实际生产的要求。

CN104730298A公开了一种用于电子测试探针的耐磨导电多层复合薄膜及其工业制备方法：1)将探针清洗干净，放置于转笼内；2)用电弧离子真空气相沉积方法制备Ti界面层；3)继续沉积TiN薄膜；3)在沉积的TiN薄膜之上继续沉积Ti界面层；4)继续沉积一层Ni薄膜；5)最后利用射频磁控溅射技术沉积Au薄膜；底层的TiN用于提高探针测试过程中的耐磨性，上层的Au薄膜用于降低探针接触电阻并提高探针的导电性。但是，该用于电子测试探针的耐磨导电多层复合薄膜的制备工艺较为复杂，从而导致用于电子测试探针的耐磨导电多层复合薄膜的生产成本较高，推广难度较大。

CN115029747A公开了一种探针处理方法及探针，探针处理方法，包括：覆盖感光膜，对探针的待处理部位进行曝光，对探针曝光后的部位进行显影，使用镀铑液对探针显影后的部位进行电镀。通过先覆盖感光膜，然后对探针的待处理部位进行曝光，再对曝光后的待处理部位进行显影，保证对探针待处理部位的准确定位，使用镀铑液对探针显影后的部位进行电镀，可完成对探针的局部电镀，能够节约电镀成本，经过处理后的探针具有良好的导电性，同时能够提高探针处理后部位的硬度，保证探针的使用寿命。但是该探针处理方法得到的探针的导电性仍旧不够理想，无法满足实际生产中对探针导电性越来越高的要求。

目前公开的探针都有一定的缺陷，存在着导电性较低问题。因此，开发设计一种新型的探针及其制备方法至关重要。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种探针及其制备方法与微电子探针卡，本发明提供的探针的导电金属层中的晶粒尺寸较小，导电性较强，大大提升了探针的导电性，从而提升了探针的测试精度。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种探针，所述探针包括探针基体及覆盖于所述探针基体上的导电金属层，所述导电金属层中的晶粒尺寸为5.5～6.5μm。

本发明中导电金属层中的晶粒尺寸为5.5～6.5μm，例如可以是5.5μm、5.55μm、5.6μm、5.65μm、5.7μm、5.75μm、5.8μm、5.85μm、5.9μm、5.95μm、6μm、6.05μm、6.1μm、6.15μm、6.2μm、6.25μm、6.3μm、6.35μm、6.4μm、6.45μm或6.5μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明提供的探针的导电金属层中的晶粒尺寸较小，晶体致密性较高，导电性较强，大大提升了探针的导电性，从而提升了探针的测试精度。

优选地，所述导电金属层包括钯金属层。

优选地，所述探针基体的材质包括钯、金、镍、铜、钴或钨中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括钯和金的组合，金和镍的组合，镍和铜的组合，钴和钨的组合，钯、金和镍的组合，或金、镍、铜与钴的组合。