[发明专利]一种探针及其制备方法与微电子探针卡在审
| 申请号： | 202310548014.6 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116577533A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 叶红亮;石磊;古智;施元军 | 申请（专利权）人： | 苏州晶晟微纳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067;C25D3/50;C25D7/00;G01R1/073;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 探针 及其 制备 方法 微电子 | ||
1.一种探针，其特征在于，所述探针包括探针基体覆盖于所述探针基体上的导电金属层，所述导电金属层中的晶粒尺寸为5.5～6.5μm。
2.根据权利要求1所述的探针，其特征在于，所述导电金属层包括钯金属层；
优选地，探针基体的材质包括钯、金、镍、铜、钴或钨中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的探针，其特征在于，所述导电金属层的厚度为8～12μm。
4.一种权利要求1～3任一项所述探针的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
将探针基体浸泡于镀液中，进行电沉积，得到所述探针。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电沉积的电流密度为0.2～0.55A/dm2；
优选地，所述电沉积的电流密度为0.3～0.45A/dm2。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述镀液的温度为35～45℃；
优选地，所述电沉积的时间为30～40min。
7.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电沉积中的阳极包括铂阳极和/或钛阳极；
优选地，所述电沉积中阳极与所述探针基体之间的距离为2～5cm。
8.根据权利要求4～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述镀液为钯镀液；
优选地，所述钯镀液的成分包括钯盐、铵盐、光亮剂与表面活性剂；
优选地，所述钯盐包括氯化钯、硫酸钯或硝酸钯中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述铵盐包括氯化铵、硫酸铵、硝酸铵或溴化铵中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述钯镀液中钯盐的浓度为10～12g/L，铵盐的浓度15～40g/L，光亮剂的浓度为1～3ml/L，表面活性剂的浓度为1～5ml/L。
9.根据权利要求4～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
将探针基体浸泡于温度为35～45℃的钯镀液中，阳极与所述探针基体之间的距离为2～5cm，以0.3～0.45A/dm2的电流密度进行30～40min的电沉积，得到所述探针；
所述钯镀液中钯盐的浓度为10～12g/L，铵盐的浓度为15～40g/L，光亮剂的浓度为1～3ml/L，表面活性剂的浓度为1～5ml/L。
10.一种微电子探针卡，其特征在于，所述微电子探针卡包括权利要求1～3任一项所述的探针。
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