[发明专利]一种电致变色器件的分割线的制作方法

权利要求书

1.一种电致变色器件的分割线的制作方法，包括以下步骤，

一、选取用于制作电致变色器件的下层玻璃(1)的玻璃基板；

二、将玻璃基板切割至设定的电致变色器件的下层玻璃(1)的外形；

三、在切割后的玻璃基板上通过磁控溅射镀膜，使玻璃基板的正面和侧面均镀上能导电的反射膜；

其特征在于：在镀膜后的玻璃基板正面进行反射膜切割，将位于玻璃基板正面的反射膜切割为相互独立的两片反射膜层，同时，保留位于玻璃基板侧面的反射膜，使位于玻璃基板侧面的反射膜仍为整体结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步骤二中，切割后的下层玻璃(1)的四个角均为圆角，且切割后的下层玻璃(1)的一条边为弧形边(11)。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步骤三中通过磁控溅射镀膜的具体步骤为，

A、在所述玻璃基板上磁控溅射镀反射吸收层(2)；

B、在镀有反射吸收层(2)的玻璃基板上磁控溅射镀折射层(3)；

C、在镀有折射层(3)的玻璃基板上镀ITO膜层(4)；

上述步骤A、步骤B和步骤C均在真空条件下完成。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述反射吸收层(2)由金属铬、铬镍合金、硅铝合金、铟锡合金中的一种或多种制作而成。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述折射层(3)包括N层依次叠合的组合折射层，每一层组合折射层包括依次叠合的低折射层和高折射层，N层组合折射层叠合后的反射率为60～80％，所述N为大于1的自然数。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述高折射层由Nb₂O₅、TiO₂、Si₃N₄中的一种或几种制作而成，所述低折射层由SiO₂制作而成。

7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：磁控溅射镀膜时在真空环境中填充氩气作为保护气体。

8.根据权利要求2至7中任一所述的制作方法，其特征在于：反射膜切割的具体操作为，从弧形边(11)上的一点出发沿底部边沿方向并与底部边沿保持相同距离一直至弧形边(11)的相对边(13)上的一点为止，切割的起始点靠近底部边沿。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：反射膜的切割线(12)通过激光打标机的激光一次性切割制成。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于：切割线(12)与底部边沿之间保持的相同距离(S)为3mm。