[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法

说明书

本发明提供一种静电卡盘装置，其具备：基体，将含有碳化硅粒子及氧化铝粒子的陶瓷粒子的烧结体作为形成材料，一个主面为载置板状试样的载置面；及静电吸附用电极，在所述基体中设置于与所述载置面相反的一侧的表面或所述基体的内部，所述烧结体的体积固有电阻值在24℃至300℃的整个范围内为0.5×10supgt;15/supgt;Ωcm以上，表示所述烧结体的所述体积固有电阻值相对于所述烧结体的体积固有电阻值的测定温度的关系的图表在24℃至300℃的范围内具有最大值，所述烧结体中的除了铝及硅以外的金属杂质含量为100ppm以下。

本发明申请是基于住友大阪水泥股份有限公司的PCT申请号为PCT/JP2017/000776、主题为“静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法”的国际申请进入中国国家阶段的中国发明申请递交的分案申请，中国发明申请的申请号为201780006109.8，申请日为2017年1月12日。

技术领域

本发明涉及一种静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法。

本申请主张基于2016年1月12日于日本申请的日本专利申请2016-003618号及2016年3月30日于日本申请的日本专利申请2016-067657号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，在实施等离子体工序的半导体制造装置中，使用能够在试样台中轻松地安装板状试样(晶片)而进行固定，并且能够以所期望的温度维持该晶片的静电卡盘装置。静电卡盘装置具备一个主面为载置晶片的载置面的基体及在与载置于载置面的晶片之间产生静电力(库伦力)的静电吸附用电极(例如，参考专利文献1)。

如上述的静电卡盘装置在等离子体工序中使用的情况下，载置晶片的基体通过等离子体加热成高温。因此，基体使用具有耐热性且具有绝缘性的陶瓷材料而形成。

在如前述的静电卡盘装置中，利用在晶片与静电吸附用电极之间产生的静电力来固定晶片。即，在静电卡盘装置中固定晶片时，对静电吸附用电极施加电压，并在晶片与静电吸附用电极之间产生静电力。另一方面，在静电卡盘装置上拆除固定于载置面的晶片时，停止对静电吸附用电极施加电压，使晶片与静电吸附用电极之间的静电力消失。

但是，以往的静电卡盘装置中，例如在实施等离子体工序之后欲拆除晶片时，在已加热的载置面与晶片之间残留有吸附力，存在难以拆除晶片的情况。若产生这种状况，则工作效率下降，因此要求进一步的改善。

并且，近年来半导体技术的精细化或3D化得到发展，半导体制造装置及半导体制造装置中所使用的静电卡盘装置的使用条件变得更加严苛。因此，进一步要求能够以良好的成品率处理晶片的静电卡盘装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4744855号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明的第一方式是鉴于如上所述的情况而完成的，其目的在于提供一种即使在高温加热时也容易拆除晶片的静电卡盘装置。

本发明的第二方式是鉴于如上所述的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善等离子体处理的成品率，并且能够成品率良好地处理晶片的静电卡盘装置。

并且，第三方式的目的在于提供一种即使在高温加热时也能够容易制造容易拆除晶片的静电卡盘装置的静电卡盘装置的制造方法。

本发明人针对难以拆除晶片进行了研究。该结果，可知静电卡盘装置通过等离子体或内置的加热器进行加热而成为高温时，作为载置晶片的载置面的基体的电阻值(体积固有电阻值)下降而变得容易通电是难以拆除的主要原因之一。

即，基体变成高温时，若体积固有电阻值下降，则即使停止对静电吸附用电极施加电压之后，也难以消除极化。因此，认为库伦力容易残留是主要原因之一。