[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法在审
| 申请号： | 202310448839.0 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116364633A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 日高宣浩;钉本弘训;小坂井守 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32;C04B35/645;C04B35/103;C04B35/626;C04B35/117 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电卡盘装置，其具备：
基体，将含有碳化硅粒子及氧化铝粒子的陶瓷粒子的烧结体作为形成材料，一个主面为载置板状试样的载置面；及
静电吸附用电极，在所述基体中设置于与所述载置面相反的一侧的表面或所述基体的内部，
所述烧结体的180℃的绝缘破坏强度为所述烧结体的24℃的绝缘破坏强度的0.85倍以上，
所述烧结体中的除了铝及硅以外的金属杂质含量为100ppm以下。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
包含于烧结体中的SiC为β-SiC且以被作为基质材料的氧化铝的晶粒包围的状态分散，烧结体中，β-SiC的体积比率为整体的4体积％以上且15体积％以下。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
烧结体中，除了铝及硅以外的金属杂质含量为50ppm以下。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
所述烧结体的体积固有电阻值在24℃至300℃的整个范围内为0.5×1015Ωcm以上，
表示所述烧结体的所述体积固有电阻值相对于所述烧结体的体积固有电阻值的测定温度的关系的图表在24℃至300℃的范围内具有最大值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
