[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；第一掺杂导电层，位于隧穿层远离基底的表面；第二掺杂导电层，位于第一掺杂导电层远离基底的一侧，第二掺杂导电层包括：多个第一部分和多个第二部分，其中，第一掺杂导电层的掺杂元素浓度小于第一部分的掺杂元素浓度，且第一部分的掺杂元素浓度小于第二部分的掺杂元素浓度；多个第一电极，多个第一电极中的每一个均沿预设方向延伸，一第一电极与一第二部分电接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

太阳能电池具有较好的光电转换能力，目前，在基底表面会制备隧穿层以及掺杂导电层，用于抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果。其中，隧穿层具有较好的化学钝化效果，掺杂导电层具有较好的场钝化效果。

掺杂导电层掺杂有一定浓度的掺杂元素，能够使掺杂导电层与基底之间形成足够高的势垒，该势垒可以使基底中的多子比较容易地通过隧穿层隧穿，使基底中的少子逃离界面，降低少子浓度，实现载流子的选择性传输。因此，掺杂导电层中的掺杂元素浓度对掺杂导电层的性能具有重要作用，进而可能影响太阳能电池的整体性能。

然而，目前太阳能电池的光电转换性能仍然欠佳。

发明内容

本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有第一表面；隧穿层，位于所述第一表面；第一掺杂导电层，位于所述隧穿层远离所述基底的表面；第二掺杂导电层，位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的一侧，所述第二掺杂导电层包括：多个第一部分和多个第二部分，每一第一部分和每一第二部分沿平行于所述第一表面的方向交替排布，每一所述第一部分与每一所述第二部分均沿预设方向延伸，其中，所述第一掺杂导电层的掺杂元素浓度小于所述第一部分的掺杂元素浓度，且所述第一部分的掺杂元素浓度小于所述第二部分的掺杂元素浓度；多个第一电极，所述多个第一电极中的每一个第一电极均沿所述预设方向延伸，每一所述第一电极与每一所述第二部分一一对应，一所述第一电极与对应的所述第二部分电接触。

另外，第一部分的掺杂元素浓度与所述第二部分的掺杂元素浓度的浓度之比为1:50～3:4。

另外，第一掺杂导电层的掺杂元素浓度与所第二部分的掺杂元素浓度之比为1:100～1:2。

另外，第一掺杂导电层包括：多个第三部分以及多个第四部分，每一第三部分与每一第四部分沿平行于所述第一表面的方向交替排布，每一所述第三部分与每一所述第四部分均沿所述预设方向延伸，一所述第三部分与一所述第一部分正对，一所述第四部分与一所述第二部分正对，所述第三部分的掺杂元素浓度小于所述第四部分的掺杂元素浓度。

另外，第三部分的掺杂元素浓度与所述第四部分的掺杂元素浓度之比为1:10～3:4。

另外，第四部分的掺杂元素浓度与所述第二部分的掺杂元素浓度之比为1:10～5:6。

另外，所述第一掺杂导电层以及所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型均为P型，所述第一部分的掺杂元素浓度为5×10¹⁸atom/cm³～5×10¹⁹atom/cm³，所述第二部分的掺杂元素浓度为5×10¹⁹atom/cm³～3×10²⁰atom/cm³，所述第一掺杂导电层的掺杂元素浓度1×10¹⁸atom/cm³～4.5×10¹⁹atom/cm³。