[发明专利]一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件在审
| 申请号： | 202310420880.7 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116200831A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 付晨光;陈梦朝;朱铁军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B28/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 何秋霞 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一类 钴基全 赫斯 合金材料 制备 方法 多晶体 器件 | ||
1.一类钴基全赫斯勒合金材料，其特征在于，所述钴基全赫斯勒合金材料为多晶体，化学式为Co2MnY1-xZx，其中，Y＝Ga或Al，Z＝Si、Ge、Sn、Al、Ga、In中任一种，Y与Z不同，x表示原子百分比，0x≤0.6。
2.根据权利要求1所述的钴基全赫斯勒合金材料，其特征在于，Y＝Ga，Z＝Si、Ge、Sn、Al、In中任一种，0x≤0.6。
3.根据权利要求1或2所述的钴基全赫斯勒合金材料，其特征在于，0x≤0.3。
4.根据权利要求1或2所述的钴基全赫斯勒合金材料，其特征在于，0x≤0.2。
5.根据权利要求1或2所述的钴基全赫斯勒合金材料，其特征在于，所述钴基全赫斯勒合金材料在300K下的反常能斯特热电势的绝对值不低于3μV/K。
6.根据权利要求1-5任一项所述的钴基全赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
步骤1，按照组成Co2MnYxZ1-x的化学计量比称取Co、Mn、Y和Z原料，混合后置于惰性气氛下熔炼反应；
步骤2，将步骤1熔炼反应后的材料粉碎后烧结、热处理得到所述钴基全赫斯勒合金材料。
7.根据权利要求6所述的钴基全赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，步骤1中所述熔炼包括悬浮熔炼、电弧熔炼、感应熔炼中任一种。
8.根据权利要求6所述的钴基全赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，烧结为放电等离子体烧结或热压烧结；烧结工艺为800-900℃下、70-100MPa烧结10-15min。
9.根据权利要求6所述的钴基全赫斯勒合金材料的制备方法，其特征在于，所述热处理为在600-900℃退火，退火时间不低于5h。
10.一种钴基全赫斯勒合金的多晶体器件，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的钴基全赫斯勒合金材料和基板。
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