[发明专利]带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法

说明书

本发明涉及一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，包括以下步骤：SA、对铜箔的一个表面进行氧化，在该表面形成氧化层；SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔；SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合，然后共烧结；SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理，通孔内的靠近铜箔一侧贴膜，曝光区域宽度小于通孔宽度；SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻，刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域，这样使得铜箔在通孔位置残留下引脚；SF、在陶瓷基板上加工掰断痕，将已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板。

技术领域

本发明涉及陶瓷覆铜基板生产技术领域，特别是涉及一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法。

背景技术

覆铜陶瓷基板简称陶瓷覆铜板，Centrotherm DBC（Direct Bonding Copper)。陶瓷材料包括氮化铝/氧化铝/ZTA陶瓷板，陶瓷覆铜板具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能，且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。在制作完成后都需要在覆铜陶瓷基板上进行开设引脚，较为耗时费力，且开设不好机就会导致覆铜陶瓷基板损坏直接造成损失。

发明内容

为克服现有技术存在的技术缺陷，本发明提供一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，能够生产带引脚覆铜基板。

本发明采用的技术解决方案是：

带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，包括以下步骤：

SA、对铜箔的一个表面进行氧化，在该表面形成氧化层；

SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔；

SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合，然后共烧结，冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板；

SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理，所述通孔内的靠近铜箔一侧贴膜，所述曝光区域宽度小于通孔宽度；

SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻，形成线路图形，得到所述陶瓷覆铜板,所述刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域；

SF、在所述陶瓷基板上加工掰断痕，所述掰断痕经过通孔。

优选的，对铜箔的一个表面进行氧化的步骤包括：将铜箔的一面放置于一个陶瓷垫板上，然后整体放入网带烧结炉中进行氧化；所述陶瓷垫板为氧化铝陶瓷片。

优选的，步骤SC中，共烧结的温度为1081-1083℃。

优选的，步骤SE中，所述刻蚀液包括1％ -5％碱、2％ -8％过氧化氢以及余量的水，所述碱为氢氧化钠或者氢氧化钾。

优选的，步骤SE中，在超声条件下进行，并控温≤25℃，蚀刻时间为20min～45min；第二蚀刻液进行刻蚀时，在超声条件下进行，并控温≤25℃，蚀刻时间3min～15min。

优选的，步骤SF中，掰断痕为激光加工出的线状分布的盲孔。

优选的，步骤 SA中，所述铜箔的厚度为0.2-0.4mm 。

优选的，步骤 SB中，所述氧化铝陶瓷基板的厚度为 0.2-1.5mm。

本发明的有益效果是：

带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法，包括以下步骤：

SA、对铜箔的一个表面进行氧化，在该表面形成氧化层，该氧化层为氧化亚铜层；

SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔，各通孔的位置根据引脚位置和引脚大小设计；

SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合，然后共烧结，冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板，铜箔与陶瓷基板烧结时，陶瓷基板在各通孔位置并不会与铜箔接触；

SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理，所述通孔内的靠近铜箔一侧贴膜，所述曝光区域宽度小于通孔宽度；