[发明专利]用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法

说明书

本发明公开了一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法，保证芯片区域处理一致性，形成良好的面型，以提高大面阵红外探测器芯片质量。抛光调平装置包括：抛光盘；抛光垫，铺设于抛光盘；夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，压力控制杆的底端与夹具盘的上表面连接，夹具盘的下表面适于配合抛光垫对芯片进行抛光；夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个轴向贯通孔内置一个压力块，压力块相对于轴向贯通孔轴向可动；压力块具有轴向贯通的吸气孔；驱动系统，用于驱动压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动压力块轴向移动；真空泵，具有多个吸气管，每个吸气管对应连通一个吸气孔；控制系统，用于控制驱动系统和真空泵。

技术领域

本发明涉及探测器制作技术领域，尤其涉及一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法。

背景技术

近年来，焦平面红外探测器跨入了一个以超大规模、多光谱、集成化和低成本为特征的第三代技术。超大规模探测器对传统的碲锌镉衬底尺寸要求较大，且探测器芯片与衬底材料之间的热失配问题随着尺寸的增大变得愈发突出。在硅基上分子束外延HgCdTe薄膜可有效解决上述问题，这成为大面阵红外探测器的研发热点。

为了增加红外探测器的光电转换效率，需要在钝化前引入硅基衬底的减薄工艺，以增加芯片表面的平整度与洁净度。但由于硅衬底特殊的物化性质，在经过机械磨抛工艺后，硅片将产生扭曲及翘曲，翘曲度与机械作用呈正相关；进而导致磨抛过程中硅片的边角与中心区域去除速率不一致，产生较差的面型，影响红外探测器性能。

发明内容

本发明实施例提供一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法，用以提高大面阵红外探测器芯片减薄处理后的面型效果。

根据本发明实施例的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置，包括：

抛光盘；

抛光垫，铺设于所述抛光盘；

夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，所述压力控制杆的底端与所述夹具盘的上表面连接，所述夹具盘的下表面适于配合所述抛光垫对芯片进行抛光；

所述夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个所述轴向贯通孔内置一个压力块，所述压力块相对于所述轴向贯通孔轴向可动；所述压力块具有轴向贯通的吸气孔；

驱动系统，用于驱动所述压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动所述压力块轴向移动；

真空泵，具有多个吸气管，每个所述吸气管对应连通一个所述吸气孔；

控制系统，用于控制所述驱动系统和所述真空泵。

根据本发明的一些实施例，所述夹具盘的下表面具有多条导流槽。

根据本发明的一些实施例，所述多条导流槽包括相互交叉的横向槽和纵向槽。

根据本发明的一些实施例，所述多个轴向贯通孔阵列分布。

根据本发明的一些实施例，所述压力块具有多个所述吸气孔，所述多个吸气孔间隔排布。

根据本发明的一些实施例，所述多个吸气孔阵列分布。

根据本发明的一些实施例，所述夹具主体还包括夹具环，所述夹具环外套于所述夹具盘且相对于所述夹具盘轴向可动。

根据本发明的一些实施例，所述夹具环通过弹簧与所述夹具盘连接。

根据本发明的一些实施例，所述驱动系统还用于驱动所述抛光盘绕轴转动。

根据本发明实施例的抛光调平方法，所述抛光调平方法基于如上所述的用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置实现；所述方法包括：