[发明专利]一种提升Cs3 在审
| 申请号： | 202310368134.8 | 申请日： | 2023-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116555884A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 董高磊;李威晨;邹军;杨波波;石明明 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C30B7/06 | 分类号： | C30B7/06;C30B29/12 |
| 代理公司： | 深圳国联专利代理事务所(特殊普通合伙) 44465 | 代理人： | 赵冬禹 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 cs base sub | ||
1.一种提升Cs3Cu2I5钙钛矿水致变色循环发光强度耐受的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:制备Cs3Cu2I5铜基钙钛矿前驱体溶液，其中铜基钙钛矿只包括Cs3Cu2I5相材料；所述步骤S1中Cs3Cu2I5铜基钙钛矿前驱体溶液的制备过程为，称取CsI、CuI原料倒入2ml～4ml的N,N-二甲基甲酰胺中成为前驱体基础溶液，其中，所述CsI与所述CuI摩尔比为3:2；再把0.01mol-3mol的SnI2倒入所述前驱体基础溶液成为Cs3Cu2I5铜基钙钛矿前驱体溶液，所述SnI2为掺杂材料，其中，可以通过控制SnI2的掺杂比例调控增强荧光量子产率；
S2：将制备好的所述铜基钙钛矿前驱体溶液置于磁力搅拌加热平台充分溶解；所述磁力搅拌加热平台参数设置为：转速900rpm-1600rpm，温度60℃-120℃；
S3:将充分溶解的所述铜基钙钛矿前驱体溶液过滤后倒入玻璃培养皿上置于磁力搅拌加热平台进行Cs3Cu2I5生长以形成Cs3Cu2I5微晶材料；
其中，所述过滤采用0.45μm过滤器过滤，所述磁力搅拌加热平台的温度设置为60℃-120℃以使所述铜基钙钛矿前驱体溶液加热蒸发结晶；
S4：将所述Cs3Cu2I5微晶材料取样并研磨成粉末，所述粉末需要再置于磁力搅拌加热平台上加热以便祛除附着性溶剂；其中，所述加热平台的温度区间设置为60℃-120℃，以促进微米晶体的成核和生长。
2.如权利要求1所述的提升Cs3Cu2I5铜基钙钛矿水致变色循环发光强度耐受度的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的Cs3Cu2I5微晶材料取样包括玻璃培养皿上粒径小于10μm的小颗粒粉末以及大于10μm的大颗粒结晶。
3.如权利要求1所述的提升Cs3Cu2I5铜基钙钛矿水致变色循环发光强度耐受度的制备方法，其特征在于，所述掺杂材料需要在所述前驱体基础溶液配置完成后称量并倒入。
4.如权利要求1所述的提升Cs3Cu2I5铜基钙钛矿水致变色循环发光强度耐受度的制备方法，其特征在于，所述CsI以及所述CuI的原料均为纯度高于99％的药品，所述步骤S1-步骤S4在充满氮气环境的手套箱内完成。
5.如权利要求1所述的提升Cs3Cu2I5铜基钙钛矿水致变色循环发光强度耐受度的制备方法，其特征在于，步骤S2在所述磁力搅拌加热平台充分溶解的时间为6h-8h，所述步骤S3所述铜基钙钛矿前驱体溶液在所述磁力搅拌加热平台上培养皿生长的时间为4h-6h，所述步骤S4所述粉末在所述磁力搅拌加热平台蒸发祛除附着性溶剂的时间为0.5h-1.5h。
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