[发明专利]一种阵列式晶体的制备设备及其工艺

说明书

本发明涉及晶体制备技术领域，且公开了一种阵列式晶体的制备设备，包括底板，所述底板顶部左侧固定连接有操作箱，所述操作箱内部中心处开设有晶体生长区域，所述晶体生长区域左右两侧均开设有调节槽，所述调节槽内部上方与下方均滑动连接有调节板，所述调节板内部与所述调节槽内部之间共同设置有调节组件，该设备的筒体内填充的固体吸收剂在达到饱和时便于进行拆卸更换新的固体吸收剂，这样就会使得该设备在使用一段时间后对操作箱内的空气进行吸附处理的效果不会降低，从而使得该设备使用效果较好，同时该设备操作箱内部的晶体生长区域的隔板间的距离可以根据需要进行调节，这样就会使得该设备可以满足更多的使用需求且使得该设备实用性较强。

技术领域

本发明涉及晶体制备技术领域，具体为一种阵列式晶体的制备设备及其工艺。

背景技术

晶体是由大量微观物质单位(原子、离子、分子等)按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。现阶段晶体的制备方法主要有熔体生长法(提拉法、坩埚下降法、区熔法、焰熔法)，溶液生长法(水溶液法、水热法、助熔剂法)，气相沉积法，固相反应法等。其中溶液生长法以水热法为例，该方法对设备要求极高、需要优质晶籽并且其生长速率慢周期长；气相沉积法可形成晶体类别不够广，并且难以控制产品质量，操作以及工作装置复杂；固相反应方法反应速度慢，并且通常要求在高温(反应条件苛刻)下进行。

现有专利号CN211713241U公布了一种阵列式液滴晶体制备装置。本实用新型公开了一种阵列式液滴晶体制备装置。阵列式晶体制备装置包括操作箱、阵列液滴制备模块和晶体生长基底模块；该方法通过调节阵列液滴体积精确获得结晶晶体质量，控制温度湿度精准调控获得的目标晶型或晶习，操作快速简单、生产过程经济价廉、绿色环保。整套装置可广泛用于各类晶体(纳米、原子、分子)生长制备，尤其是药物制备的生产过程。

现有技术的一种阵列式液滴晶体制备装置有以下缺点：1、该装置的筒体内填充的固体吸收剂在达到饱和时不便进行拆卸更换新的固体吸收剂，这样就会使得该装置在使用一段时间后对操作箱内的空气进行吸附处理的效果降低，从而使得该装置使用效果不好，2、该装置操作箱内部的晶体生长区域的隔板间的距离不便根据需要进行调节，这样就会使得该装置不能满足更多的使用需求且使得该装置实用性较差。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种阵列式晶体的制备设备及其工艺，解决了上述背景技术中的问题。

(二)技术方案