[发明专利]锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法

权利要求书

1.一种锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，将作为镜片的锗透镜基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，锗透镜基底的陪镀片的厚度为0.9-1.5mm；

S2，在镜片的第一面上镀制DLC膜层，包括子步骤：

S21，将清洁处理好的陪镀片和产品的镜片置于射频等离子类金刚石镀膜设备的下极板托盘上；

S22，射频等离子类金刚石镀膜设备抽真空，然后通入氩气清洗；

S23，启动射频等离子类金刚石镀膜设备，通入甲烷120sccm、氩气10sccm作为反应气源，开启射频电源，射频电源的射频功率为700-800W，沉积压力为0.1-10Pa，沉积时间为2000-2300s，

从而在镜片的第一面上镀制DLC膜层；

S24，沉积完成后，冷却后从射频等离子类金刚石镀膜设备中取出包含陪镀片和产品的镜片，准备镀制镜片的第二面；

S3，在镜片的第二面上镀制减反射增透膜，包括子步骤：

S30，将第一面镀制DLC膜层的包括陪镀片和产品的镜片的表面进行清洁处理；

S31，将清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为150℃；

S32，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1×10^-3Pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，

离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A；

S33，维持前述真空度，在镜片的第二面蒸镀第一Ge膜层，第一Ge膜层的沉积速率为0.4nm/s，控制第一Ge膜层的膜厚为18nm±1nm，离子源辅助蒸镀；

S34，在镀制的第一Ge膜层上蒸镀第一ZnS膜层，第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第一ZnS膜层的膜厚为139nm±4nm，离子源辅助蒸镀；

S35，在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二Ge膜层，第二Ge膜层沉积的速率为0.4nm/s，控制第二Ge膜层的膜厚为49nm±2nm，离子源辅助蒸镀；

S36，在镀制的第二Ge膜层上蒸镀第二ZnS膜层，第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第二ZnS膜层的膜厚为190nm±4nm，离子源辅助蒸镀；

S37，在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀YbF₃膜层，YbF₃膜层沉积的速率为0.6nm/s，控制YbF₃膜层的膜厚为428nm±5nm，

离子源辅助蒸镀；

S38，在镀制的YbF₃膜层上蒸镀第三ZnS膜层，第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第三ZnS膜层的膜厚为50nm±2nm，离子源辅助蒸镀；

S4，镀制完成后，待真空室冷却至80℃以下取出两面镀制好的镜片。

2.根据权利要求1所述的锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法，其特征在于，

在步骤S1中，锗透镜基底的陪镀片的厚度为1.0mm。

3.根据权利要求1所述的锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法，其特征在于，

在步骤S1和子步骤S30中，采用超声波对镜片的表面进行清洁处理。

4.根据权利要求1所述的锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透的制备方法，其特征在于，

在子步骤S22中，射频等离子类金刚石镀膜设备抽真空的真空度达到5.0×10^-3Pa；

在子步骤S22中，通入氩气30sccm，清洗时间为2min；

在子步骤S23中，射频电源的射频功率为750W，沉积压力为5Pa，沉积时间为2150s；

在子步骤S24中，冷却30min。

5.根据权利要求1所述的锗透镜基底上镀制3-5μmDLC加减反射增透膜的制备方法，其特征在于，

在子步骤S32中，阳极电流为1.2A、发射极的电流为1.5A；

在子步骤S32至子步骤S38中，离子源为霍尔离子源。